「a59 v」の検索結果

ダイオード構成 シングルV。実装タイプ スルーホール。最大パワー消費 3 W。パッケージタイプ DO-41。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 66.9mA。最大ツェナーインピーダンス 250 Ω@ mA。最大逆漏れ電流 5 μA@ V。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。動作温度 Max +200 ℃。ツェナーダイオード3 W、1N59xxBシリーズSurmetic、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 7.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SMA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 50mA。最大ツェナーインピーダンス = 3Ω。最大逆漏れ電流 = 2.5μA。寸法 = 4.32 x 2.6 x 2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1.5 W、1SMA59xxBT、SZ1SMA59xxBTシリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.5 W。パッケージタイプ = SMA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 104.2mA。最大ツェナーインピーダンス = 9Ω。最大逆漏れ電流 = 35.5μA。寸法 = 4.57 x 2.92 x 2.05mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1.5 W、1SMA59xxBT、SZ1SMA59xxBTシリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 3 W。パッケージタイプ = SMB。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 96.1mA。最大ツェナーインピーダンス = 7.5Ω。最大逆漏れ電流 = 25μA。寸法 = 4.32 x 3.56 x 2.13mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 3 W。パッケージタイプ = SMB。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20.8mA。最大ツェナーインピーダンス = 12Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.6 x 3.95 x 2.28mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.5 W。パッケージタイプ = SMA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 17mA。最大ツェナーインピーダンス = 17.5 Ω， 650Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 4.57 x 2.92 x 2.05mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード1.5 W、1SMA59xxBT、SZ1SMA59xxBTシリーズ、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = ケース 59-10。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 20V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。ON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード

パッケージタイプ = TO-3P。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 56 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 29.5 A 低ゲート電荷量(標準) 77 nC ) 低 CRSs (標準) 80 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。