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チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 500 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 830 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.19mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MicroDIP。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 4.55mm。幅 = 5.15mm。UL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mm2のみ 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 2.92mm。高さ = 0.94mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7500 V ac。論理出力 = あり。シリーズ = MOC。オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 38 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 26 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.9mm。高さ = 16.07mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = UMLP。寸法 = 1.8 x 2.6 x 0.5mm。動作温度 Max = +85 ℃。アナログスイッチ、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A、3.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 95 m Ω 、 190 m Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 48 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V。幅 = 6.22mm。高さ = 2.39mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7.5 kVrms。最大電流変換率 = 200%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 5μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 7500 V ac。最大電流変換率 = 300%。標準降下時間 = 5μs。シリーズ = H11AG。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 80 mA。絶縁電圧 = 2500 V dc、7500 V ac。論理出力 = あり。最小電流伝送率 = 500%。シリーズ = 4N32。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7500 V ac。最大電流変換率 = 100%。シリーズ = H11AA。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途

I/Oチャンネル数 = 8。インターフェース = I2C。ピン数 = 16。パッケージタイプ = UMLP。クロック周波数 = 400kHz。実装タイプ = 表面実装。最大供給電圧 = 3.6 V。最小供給電圧 = 1.65 V。Fairchild Semiconductor シリアル入出力ペリフェラル

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 5μs。最大入力電流 = 3 A。絶縁電圧 = 7500 Vrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 20%。標準降下時間 = 5μs。シリーズ = 4N38。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

論理回路 = 74HC。ラッチモード = 透明。ラッチエレメント = Dタイプ。ビット数 = 8bit。出力タイプ = 3ステート。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。寸法 = 13.005 x 7.595 x 2.642mm。高さ = 2.642mm。長さ = 13.01mm。幅 = 7.595mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = LSTTL。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。セット/リセット = リセット。1チップ当たりのエレメント数 = 8。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 170ns。寸法 = 13.005 x 7.595 x 2.642mm。幅 = 7.595mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.3A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1.6 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 5。論理回路 = TinyLogic HS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -2.6mA。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 2.6mA。幅 = 1.7mm。TinyLogic HS、Fairchild Semiconductor. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 6.0 ESD保護ダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。寸法 = 10 x 6.198 x 1.499mm。動作供給電圧 Max = 6 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 4170 Vrms。論理出力 = あり。シリーズ = MOC。オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7500 V。論理出力 = あり。シリーズ = MOC。オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7500 V ac。論理出力 = あり。シリーズ = MOC。オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13.5ns。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = AC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 20 ns @ 5 V。高レベル出力電流 Max = -4.8mA。低レベル出力電流 Max = 4.8mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HCT。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4mm。74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = なし。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8.5 ns @ 5 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = ACT。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4mm。74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 69 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

電源スイッチの種類 = 内蔵負荷。オン抵抗 = 0.125Ω。動作供給電圧 Max = 20 V。出力数 = 2A。パワーレーティング = 0.7W。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 6。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 3 x 1.7 x 1mm。統合型ロードスイッチ、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 69 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.4V。最大パワー消費 = 42 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。高さ = 2.39mm。自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 1μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7500 V ac。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 2μs。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7500 V ac。最大電流変換率 = 100%。シリーズ = H11AA。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 107 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 38 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトダーリントン。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 5μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7500 V ac。最大電流変換率 = 1000%。標準降下時間 = 100μs。シリーズ = H11G。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 200 mA。絶縁電圧 = 5000 V ac。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 50%。シリーズ = 6N136。特殊機能 = パルストランス代替品、広帯域幅アナログカップリング。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ダーリントン。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 5μs。最大入力電流 = 350 mA。絶縁電圧 = 2500 Vrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 500%。標準降下時間 = 100μs。シリーズ = 4N32。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。論理出力 = あり。シリーズ = MOC。オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。論理出力 = あり。シリーズ = MOC。オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。論理出力 = あり。シリーズ = MOC。オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = Mini-Flat。標準上昇時間 = 20ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms ac。論理出力 = あり。標準降下時間 = 10ns。シリーズ = FODM。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。論理出力 = あり。シリーズ = MOC。オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor