「blt-1」の検索結果

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 220。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 17Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 225 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。最大ツェナーインピーダンス = 24Ω。最大逆漏れ電流 = 15μA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 3。テスト電流 = 5.2mA。最大ツェナーインピーダンス = 600Ω。最大逆漏れ電流 = 250nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。自動車規格 = AEC-Q101mA

標準ツェナー電圧 = 14V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 225 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 9mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52xxBシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOT-23

標準ツェナー電圧 = 9.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 16V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 7.8mA。最大ツェナーインピーダンス = 17Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 2.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 30Ω。最大逆漏れ電流 = 75μA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 10V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 225 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。最大ツェナーインピーダンス = 17Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor