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検出スペクトル = 赤外線標準降下時間 = 8μs標準上昇時間 = 8μsチャンネル数 = 1最大暗電流 = 100nA半値幅感度角度 = 25°ピン数 = 2実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = 側方監視寸法 = 4.44 x 2.54 x 5.08mmコレクター電流 = 1.50mA感度スペクトルレンジ = 880 nmnm幅 = 2.54mmQSE113 / QSE114シリーズ赤外線フォトトランジスタ. Fairchild SemiconductorのQSE113 / QSE114シリーズには、シリコン赤外線フォトトランジスタが各種揃っています。 各製品は、サイドルッキング(SL)スルーホールパッケージに収められています。 各製品の黒色のプラスチックパッケージは、広角で赤外線を透過します。. QSE113 / QSE114赤外線フォトトランジスタの特長: NPNシリコン赤外線フォトトランジスタ パッケージタイプ: 側方監視 中幅レセプション角度: 50° パッケージの材質と色: 黒エポキシ 昼光フィルタ 高感度 動作温度: -40 → +100 ℃

ダイオード構成 = シングルA実装タイプ = 表面実装最大逆電圧 = 200Vパッケージタイプ = DO-214BA (GF1)最大順方向降下電圧 = 1.1V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 4.7mm幅 = 2.9mm高さ = 2.7mm寸法 = 4.7 x 2.9 x 2.7mmFairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

ダイオード構成 シングル実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-41ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 1.1V動作温度 Min -65 ℃動作温度 Max +175 ℃高さ 5.2mm寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm直径 2.7mmON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = SMT最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 4170Vrms 交流論理出力 = ありシリーズ = MOC

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 4μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5000 V ac最大電流変換率 = 260%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FODオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = AC標準上昇時間 = 4μs絶縁電圧 = 5000 V ac論理出力 = あり最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FOD特殊機能 = AC入力応答、鉛フリーIRリフローはんだ付けに使用可能、高い動作温度オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5300 Vrms論理出力 = ありシリーズ = MOCオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトライアックチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrmsシリーズ = MOCオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 0.1μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7500 V論理出力 = あり標準降下時間 = 0.1μsシリーズ = H11Lオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトダーリントン最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7500 V ac最大電流変換率 = 1000%標準降下時間 = 100μsシリーズ = H11Gオプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 4μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5 kVrms最大電流変換率 = 160%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FODオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 100μs絶縁電圧 = 5000 V ac論理出力 = あり最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 20μsシリーズ = FOD特殊機能 = AC入力応答、鉛フリーIRリフローはんだ付けに使用可能、高い動作温度オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 0.1μs絶縁電圧 = 7.5 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 0.1μsシリーズ = H11Lオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトダーリントン最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 300μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5 kVrms最大電流変換率 = 15000%標準降下時間 = 100μsシリーズ = FODオプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 50ns最大入力電流 = 15 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 12nsシリーズ = HCPLオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = SMT最大入力電流 = 10 mA絶縁電圧 = 4.17 kVrmsシリーズ = MOC

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 4170 V ac論理出力 = ありシリーズ = MOC特殊機能 = 115 V ac電源、静的電源スイッチ、ゼロ電圧クロスのロジック制御を単純化オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = シュミットトリガー最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = SMT標準上昇時間 = 0.1μs最大入力電流 = 10 mA絶縁電圧 = 4.17 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 0.1μsシリーズ = H11LH11LXM シリーズは、ガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されている高速集積回路検出器を備えています。出力には、ノイズ耐性及びパルス整形用のヒステリシスを提供するシュミットトリガが組み込まれています。この検出器回路は、操作の簡素化に最適化されており、用途の柔軟性を最大限に高めるためにオープンコレクタ出力を採用しています。高データ転送速度、標準1 MHz (NRZ) ラッチアップや電圧範囲及び温度範囲全体にわたるオシロスコープを離してください。 マイクロプロセッサ対応ドライブ ロジック互換出力シンク： 16 mA @ 0.4 V (最大) オン / オフしきい値ヒステリシスを保証 幅広い電圧を供給でき、一般的なあらゆるロジックシステムに対応します 用途 家庭用電化製品 産業用モータ

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7500 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 100%標準降下時間 = 2μsシリーズ = 4N35オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7500 V ac最大電流変換率 = 100%シリーズ = H11AAオプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = Mini-Flat入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 200 mA最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = HMHA特殊機能 = デジタルロジック入力、マイクロプロセッサ入力、電話回線レシーバオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrmsシリーズ = MOCオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトダーリントン最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7500 V ac最大電流変換率 = 1000%標準降下時間 = 100μsシリーズ = H11Gオプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 4170Vrms 交流シリーズ = MOC

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7500 V ac論理出力 = ありシリーズ = MOCオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 7.3 A、8.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ， 21 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1600 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、-20 V、+20 V、+25 V幅 = 4mm高さ = 1.5mmPowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 115 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 200 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.25mm動作温度 Min = -55 ℃mm強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

ピン数 = 6実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70寸法 = 2 x 1.25 x 1mm動作温度 Min = -40 ℃アナログスイッチ、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 189 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.7mm高さ = 1.7mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

ピーク平均順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBU 4Lピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 22.3 x 18.8 x 3.56mm高さ = 3.56mmUL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 耐高サージ電流 基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 280 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-563実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 250 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.2mm動作温度 Min = -55 ℃mm強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mmPowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

ピーク波長 = 945nmパッケージタイプ = 側方監視放射強度 = 12mW/sr実装タイプ = スルーホール実装指向半値角 = 50°LED数 = 1ピン数 = 2寸法 = 4.44 x 4.44 x 5.08mmLED材質 = GaAs最大供給電圧 = 1.5V

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vシリーズ = MegaFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V長さ = 6.73mm高さ = 2.39mmMegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7.2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 242 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.5mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

論理回路 = FXLP実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70ピン数 = 5寸法 = 2 x 1.25 x 1mm低レベル出力電流 Max = 2.6mA高レベル出力電流 Max = -2.6mA伝播遅延テスト条件 = 30pF動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1 V動作温度 Min = -40 ℃電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 54 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 6.73mm高さ = 2.39mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

ピーク平均順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MicroDIPピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 10μA長さ = 4.55mm高さ = 1.45mmUL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mm2のみ 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm高さ = 0.94mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A