「br-s3」の検索結果

実装タイプ 表面実装パッケージタイプ DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 4Aピーク逆繰返し電圧 40Vダイオード構成 シングル整流タイプ ショットキー整流器ダイオードタイプ ショットキーピン数 2最大順方向降下電圧 500mV1チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 80AON Semiショットキーバリア整流器、3 A、20 30 40 V. このシリーズのON Semiconductor ショットキーパワー整流器 は、パワーダイオード内でショットキーバリア技術を採用しています。これらの3 A整流器は、さまざまな電圧オプションが用意されているコンパクトなデバイスです。 これらのショットキーパワー整流器は、J字形リード付きのSMC表面実装パッケージで提供されます。ケースは成形エポキシ製で、寸法は7.94 5.84 2.13 mmです。パッケージの外面には、腐食性に対する耐性が備わっています。 特長: 安定した酸化物不動態化ジャンクション 低順方向電圧降下 逆アバランシェエネルギー過渡に対する優れた耐性 ガードリングによりストレス保護 何に使用しますか? これらのショットキーパワー整流器は、低電圧、高周波の整流に最適です。また、還流ダイオード及び極性保護ダイオードとして使用することもできます。これらの製品は、サイズと重量が重要とされる用途に最適です。角型パッケージは、自動処理に適しています。 ジャンクション動作温度 -65 +150 整流順方向電流 A (110 ℃)又は4 (105 ℃) 種類: MBRS320T3G 20 SBRS8320T3G 20 MBRS330T3G 30 NRVBS330T3G 30 MBRS340T3G 40 SBRS8340T3G 40 V

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = Mini-Flat入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms最大電流変換率 = 1200%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FODMオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MFP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 160%標準降下時間 = 3μsシリーズ = HMHAオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MFP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = HMHAオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = Mini-Flat入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 200 mA最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = HMHA特殊機能 = デジタルロジック入力、マイクロプロセッサ入力、電話回線レシーバオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MFP入力電流タイプ = AC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = HMHAオプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MFP標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 10 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FODM

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 4μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5000 V ac最大電流変換率 = 400%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FODオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 4μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5000 V ac最大電流変換率 = 160%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FODオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 4μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5 kVrms最大電流変換率 = 160%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FODオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 4μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5000 V ac最大電流変換率 = 260%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FODオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MFP入力電流タイプ = AC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 300%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FODMオプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = AC標準上昇時間 = 4μs絶縁電圧 = 5000 V ac論理出力 = あり最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FOD特殊機能 = AC入力応答、鉛フリーIRリフローはんだ付けに使用可能、高い動作温度オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 3 A絶縁電圧 = 7.5 kVrms最大電流変換率 = 50%標準降下時間 = 2μsシリーズ = TILオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 3 A絶縁電圧 = 7500 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 100%標準降下時間 = 2μsシリーズ = 4N25オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 3 A絶縁電圧 = 7500 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 100%標準降下時間 = 2μsシリーズ = 4N35オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 3 A絶縁電圧 = 7500 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 100%標準降下時間 = 2μsシリーズ = 4N35オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5μs最大入力電流 = 3 A絶縁電圧 = 7500 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 20%標準降下時間 = 5μsシリーズ = 4N38オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ダーリントン最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5μs最大入力電流 = 3 A絶縁電圧 = 2500 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 500%標準降下時間 = 100μsシリーズ = 4N32オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SMT入力電流タイプ = AC/DC標準上昇時間 = 4μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5000Vrms 交流最大電流変換率 = 150%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FOD814

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = AC標準上昇時間 = 4μs絶縁電圧 = 5000 V ac論理出力 = あり最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FOD特殊機能 = AC入力応答、鉛フリーIRリフローはんだ付けに使用可能オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 1mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 75Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 低漏洩ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオードピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 3μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mAメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

コンパレータタイプ = 汎用実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC電源タイプ = ±2電源， 単一電源出力タイプ = オープンコレクタ回路数 = 2標準応答時間 = 1.3μsピン数 = 8標準シングル供給電圧 = 3 → 28 V寸法 = 5 x 4 x 1.5mm長さ = 5mm幅 = 4mm高さ = 1.5mm標準電圧ゲイン = 106.02 dBコンパレータ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC電源タイプ = デュアル電源回路数 = 1ピン数 = 8標準デュアル供給電圧 = ±3 → ±18V標準スルーレート = 10V/μs動作温度 Max = +70 ℃標準電圧ゲイン = 104 dB幅 = 4mmLM201A(V) / LM301A、非補償オペアンプ、ON Semiconductor. 低入力オフセット電流: 20 nA 柔軟性をもたらす外付け周波数補償 クラスAB出力が優れた直線性を実現 ショート出力保護

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 1mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 0.12mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = なしmm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. シングル抵抗デジタルトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mWトランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 1mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルPNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルPNPトランジスタ、ON Semiconductor