「br-w2」の検索結果

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 10.5V。最小ブレークダウン電圧 = 5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-923。最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 0.3W。最大ピークパルス電流 = 10.5A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 0.65mm。低静電容量ESD保護アレイ

標準ツェナー電圧 = 39V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 5 W。パッケージタイプ = DO-15。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 30mA。最大ツェナーインピーダンス = 14Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。

標準ツェナー電圧 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 1。最大パワー消費 5 W。パッケージタイプ DO-15。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 220mA。最大ツェナーインピーダンス 1Ω。最大逆漏れ電流 1μA。寸法 8.89 3.68 3.68mm。動作温度 Min -65 ℃。ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途. 産業用

標準ツェナー電圧 = 20V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 12.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 22Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 51V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 5 W。パッケージタイプ = DO-15。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 25mA。最大ツェナーインピーダンス = 27Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。

パッケージタイプ = D2PAK。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 158 W。ピン数 = 2 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 82 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 1.6 W、2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.9mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.7mm。小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 6.5 x 3.5 x 1.6mm。小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor

電源スイッチの種類 = 内蔵負荷。動作供給電圧 Max = 8 V。出力数 = 2A。パワーレーティング = 0.7W。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 6。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 3 x 1.7 x 1mm。統合型ロードスイッチ、Fairchild Semiconductor

電源スイッチの種類 = 内蔵負荷。オン抵抗 = 0.125Ω。動作供給電圧 Max = 20 V。出力数 = 2A。パワーレーティング = 0.7W。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 6。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 3 x 1.7 x 1mm。統合型ロードスイッチ、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A、3.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 95 m Ω 、 190 m Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 37.5V。最小ブレークダウン電圧 = 25.7V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 = 23.1V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 16A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。幅 = 3.56mm。TVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 10.4V。最小ブレークダウン電圧 = 5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-923。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 102W。最大ピークパルス電流 = 9.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 0.85 x 0.65 x 0.43mm。自動車規格 = AEC-Q101pF。低静電容量ESD保護アレイ

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 12.5V。最小ブレークダウン電圧 = 5.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-923。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 0.3W。最大ピークパルス電流 = 12.5A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。自動車規格 = AEC-Q101pF。低静電容量ESD保護アレイ

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 17mA。最大ツェナーインピーダンス = 14Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 30V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 5 W。パッケージタイプ = ケース017AA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 40mA。最大ツェナーインピーダンス = 140 Ω @ 1 mA， 8 Ω @ 40 mA。最大逆漏れ電流 = 3.7μA。寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm。動作温度 Min = -65 ℃A

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A、4.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ， 105 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 25 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 75W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V。幅 = 6.22mm。高さ = 2.38mm。ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 245 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 9.65mm。高さ = 4.83mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2.1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V。幅 = 3.5mm。高さ = 1.57mm。ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 39 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 73 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 15 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 22 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.36mm。高さ = 16.07mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 120 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 333 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 9.65mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 214 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 333 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。高さ = 9.4mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 50 A、136 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.2 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 127 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。高さ = 2.39mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 36 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 62 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 20 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -24 V， +24 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 55 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 104 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 48 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V

方向性タイプ = 単方向。最小ブレークダウン電圧 = 5.5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = POWERMITE。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1.56W。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.18mm。LEDシャントプロテクタ、ON Semiconductor. この装置は、1つのLEDが故障することでLEDのストリング全体に影響が出ないようにするために、LEDの故障時に分路を提供します。高い信頼性が求められる照明用途に特に最適です。また、回路の連続性が求められるその他の負荷にも適しています。

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 25.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

標準ツェナー電圧 = 7.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SMA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 50mA。最大ツェナーインピーダンス = 3Ω。最大逆漏れ電流 = 2.5μA。寸法 = 4.32 x 2.6 x 2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1.5 W、1SMA59xxBT、SZ1SMA59xxBTシリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 14mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 49mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 44 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 120 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 750 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 15.87mm。順方向ダイオード電圧 1.2V。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 48 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 70 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。