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onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET100 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi
339税込373
1箱(10個)
3日以内出荷から5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)170最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)6最大ゲートしきい値電圧(V)2最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ1.8 nC @ 10 V最大パワー消費360 mW
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, BSS123L onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, BSS123Lonsemi
729税込802
1袋(50個)
7日以内出荷
パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。パワー MOSFET 170 mA 、 100 V 、 N チャンネル SOT-23品番の先頭が「 BVSS 」の場合は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています
RoHS指令(10物質対応)対応
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