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特価

onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:2, トランジスタ出力, MOCD217M
onsemi¥719税込¥7911袋(10個)7日以内出荷実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3.2μs。最大入力電流 = 200 mA。絶縁電圧 = 2500 V ac。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 100%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = MOCD。特殊機能 = 厳密に適合する電流伝送率、フィードバック制御回路、汎用スイッチング回路。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:2, トランジスタ出力, MOCD217M
onsemi¥719税込¥7911箱(10個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流:DCチャンネル数2機能(特殊機能)厳密に適合する電流伝送率、フィードバック制御回路、汎用スイッチング回路ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間3.2μs標準降下時間4.7μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.3最大入力電流(mA)200最大電流変換率(%)100絶縁電圧(V)2500 ac
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:2, トランジスタ出力, MOCD217R2M
onsemi¥169,800税込¥186,7801セット(2500個)7日以内出荷実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3.2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 2.5 kVrms。最大電流変換率 = 130%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = MOCD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:2, トランジスタ出力, MOCD217R2M
onsemi¥769税込¥8461箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ:DC●最大電流変換率:1.3チャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間3.2μs標準降下時間4.7μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.3最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)2500ac
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, トランジスタ出力, MOCD213R2M
onsemi¥889税込¥9781箱(10個)7日以内出荷仕様●最小電流伝送率:1●論理出力:ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性MOCD213M デバイスは、 2 つのモノリシックシリコンフォトトランジスタ検出器に光学的に結合されている 2 つのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードで構成されています。表面実装可能な小型アウトラインプラスチックパッケージに収容されています。高密度用途に最適で、スルーボード実装が不要です。厳密に一致する電流伝達率 最小 BVCEO : 70 V 保証 MOCD207M 、 MOCD208M 最小 BVCEO : 30 V 保証 MOCD211M 、 MOCD213M 、 MOCD217M ロジックインターパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間3.2μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(Vrms)2500ac(最小)









