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  • onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 10.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemi

    onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 10.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン

    onsemi
    ¥1,598税込¥1,758
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +30 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 13.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemi

    onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 13.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン

    onsemi
    ¥1,998税込¥2,198
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 13.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 13.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemi

    onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 13.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン

    onsemi
    ¥1,798税込¥1,978
    1箱(5個)
    7日以内出荷
    仕様●最低ゲートしきい値電圧:0.4V●最大連続ドレイン電流:13.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:86 nC @ 4.5 Vピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 , +8トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
  • onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 8.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemi

    onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 8.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン

    onsemi
    ¥969税込¥1,066
    1箱(5個)
    7日以内出荷
    仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:8.8 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:29 nC @ 10 Vピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)20最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 , +25トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
  • onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 8.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemi

    onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 8.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン

    onsemi
    ¥969税込¥1,066
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
    RoHS指令(10物質対応)対応
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