カテゴリ
- 制御機器(5)
絞り込み
ブランド
- onsemi
- ウェルチ・アレン(17)
- TONE(トネ/旧:前田金属工業)(13)
- OSG(オーエスジー)(12)
- BIGM(丸山製作所)(9)
- オカムラ(岡村製作所)(6)
- パナソニックコネクト(6)
- SMC(3)
- Panasonic(パナソニック)(3)
- ON SEMICONDUCTOR(3)
- エスコ(2)
- タンガロイ(2)
- NOK(2)
- TAKUBO(タクボ/田窪工業所)(2)
- Pro-Auto(2)
- HDK(2)
- ニムラ(2)
- プロシェア(ナビス/アズワン)(2)
- I ・O DATA(アイオーデータ)(1)
- ブランドをもっと見る
エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(5)
「ds-44」の検索結果

onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 10.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi¥1,598税込¥1,7581袋(5個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +30 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 13.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi¥1,998税込¥2,1981袋(5個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 13.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 13.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi¥1,798税込¥1,9781箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:0.4V●最大連続ドレイン電流:13.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:86 nC @ 4.5 Vピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 , +8トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 8.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi¥969税込¥1,0661箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:8.8 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:29 nC @ 10 Vピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)20最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 , +25トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 8.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi¥969税込¥1,0661袋(5個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。RoHS指令(10物質対応)対応








