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最大出力周波数 = 0.7MHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICMHzピン数 = 16寸法 = 10.45 x 7.6 x 2.4mm高さ = 2.4mm長さ = 10.45mm動作供給電圧 Max = 18 V動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 3 V動作温度 Min = -55 ℃幅 = 7.6mm電圧制御発振器(VCO)、ON Semiconductor. PLLベースの電圧制御発振器(VCO)です。

パッケージタイプ = SOIC Wロジックタイプ = シフトレジスターステージ数 = 64論理回路 = CMOS実装タイプ = 表面実装動作/操作モード = シリアルエレメント数 = 1ピン数 = 16動作供給電圧 Min = -0.5 V動作供給電圧 Max = 18 V寸法 = 10.45 x 7.6 x 2.4mmトリガータイプ = 負エッジ4000シリーズカウンタ / シフトレジスタ、ON Semiconductor

論理回路 = HCTロジックタイプ = バッファ回路数 = 9入力タイプ = CMOS出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 6mA低レベル出力電流 Max = 6mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 38 ns @ 50 pF寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm動作供給電圧 Min = 4.5 V伝播遅延テスト条件 = 50pF

論理回路 = ACロジックタイプ = D タイプ入力タイプ = TTL実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20セット/リセット = マスターリセット1チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm幅 = 7.6mmMC74ACファミリ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = トランシーバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 35mA低レベル出力電流 Max = -35mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165ns寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm動作供給電圧 Min = -0.5 V伝播遅延テスト条件 = 50pF高性能シリコンゲート CMOS 。MC74HC245A のピン配置は LS245 と同一です。デバイス入力は、標準 CMOS 出力と互換性があり、プルアップ抵抗器を備え、 LSTTL 出力と互換性があります。HC245A は、データバス間の双方向非同期通信に使用される 3 ステート非反転トランシーバです。このデバイスにはアクティブロー出力イネーブルピンがあり、 I/O ポートをハイインピーダンス状態にするために使用します。Direction コントロールは、データが A から B 、または B から A のどちらに流れるかを決定します出力駆動能力： 15 LSTTL 負荷 CMOS 、 NMOS 、 TTL との直接インターフェイスで出力 動作電圧範囲： 2 ～ 6 V 低入力電流： 1 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性 チップの複雑さ： 308 FET または 77 等価 Gates

論理回路 = ACロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ回路数 = 8入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns@ 50 pF寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 50pFMC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = ACラッチモード = 透明ラッチエレメント = Dタイプビット数 = 8bit出力タイプ = 3ステート極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm高さ = 2.4mm長さ = 12.95mm幅 = 7.6mmMC74ACファミリ、ON Semiconductor