「esd 袋」の検索結果

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 10.5V。最小ブレークダウン電圧 = 5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-923。最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 0.3W。最大ピークパルス電流 = 10.5A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 0.65mm。低静電容量ESD保護アレイ

電圧範囲 = 5.25 V。許容入力 = 225 mW。長さ = 3.1mm。奥行き = 1mm。寸法 = 3.1 x 1.7 x 1 mm。ESD保護付きEMIフィルタ、ON Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 9.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SC-74。最大逆スタンドオフ電圧 = 5.5V。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 0.22W。最大ピークパルス電流 = 1A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 13。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +85 ℃mm。幅 = 1.7mm。低静電容量ESD保護アレイ

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 10.9V。最小ブレークダウン電圧 = 4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523。最大逆スタンドオフ電圧 = 2.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 120W。最大ピークパルス電流 = 11A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm。幅 = 0.9mm。240 W過渡電圧サプレッサダイオード、ESD保護用. ON Semiconductor ESD5Z シリーズは、電圧の影響を受けやすいコンポーネントを ESD や過渡電圧イベントから保護できるようになっているマイクロ過渡電圧サプレッサです。このデバイスは、優れたクランプ機能を備え、高速な応答時間と低漏洩電流が特長で、 ESD 保護に最適です。コンパクトなサイズで、基板スペースが限られている場所の省スペースに最適です。. 用途. 携帯機器 - 携帯電話 - デジタルカメラ - 電源. 規格. - IEC61000-4-2 レベル 4 ESD 保護 -IEC61000-4-4 レベル 4 EFT 保護 - クラス 3 の ESD 定格

ダイオード構成 = コンプレックスアレイ。最大クランピング電圧 = 20V。最小ブレークダウン電圧 = 6.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 8。ピークパルスパワー消費 = 2000W。最大ピークパルス電流 = 100A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 5。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 4mm。高電流落雷保護、ON Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 38V。最小ブレークダウン電圧 = 25.65V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 40W。最大ピークパルス電流 = 1A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。長さ = 5mm。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。動作供給電圧 Max = 51 V。動作温度 Max = +150 ℃。動作供給電圧 Min = 42 V。動作温度 Min = -55 ℃。自動車規格 = AEC-Q100。NCV8402 は、 3 Terminal Protection を備えた 2 チャンネルのローサイドスマートディスクリートデバイスです。保護機能には、過電流、過熱、 ESD 、過電圧保護用のドレイン - ゲート間クランプの機能が内蔵されています。このデバイスは保護機能を備え、過酷な車載環境に適しています。短絡保護 自動再起動によるサーマルシャットダウン 誘導型スイッチング用の一体型クランプ ESD保護 dV/dt 耐久性 アナログドライブ機能(ロジックレベル入力) 工場及び変更管理を必要とする車載などの用途には先頭に「 NCV 」の文字を使用します 最終製品 自動車 用途 さまざまな抵抗負荷、誘導負荷、静電容量負荷を切り替えます 電気機械式リレーとディスクリート回路を交換可能 ランプドライバ リレードライバ

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 5。論理回路 = TinyLogic HS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -2.6mA。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 2.6mA。幅 = 1.7mm。TinyLogic HS、Fairchild Semiconductor. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 6.0 ESD保護ダイオード

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 8.7V。最小ブレークダウン電圧 = 5.89V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 3V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 24W。最大ピークパルス電流 = 2.7A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm。TVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適 低漏洩

レギュレータタイプ = バックブーストスイッチングmA。出力電圧 = 50 mV。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。出力タイプ = 固定。最大スイッチング周波数 = 100 kHz。スイッチングレギュレータ = あり。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。幅 = 4mm。低入力オフセット電圧： 0.5 mV (標準 入力コモンモード範囲にはアースが含まれています 低静止電流： VCC = 5V でオペアンプあたり 75 μ A 大出力電圧スイング 広い電源電圧範囲： 3 → 36 V 高 ESD 保護： 2 kV 最終製品 バッテリ充電器 用途 スイッチモード電源

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 540 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-563。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.45V。最大パワー消費 = 250 mW。最大ゲート-ソース間電圧 = ±7 V。幅 = 1.3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。20 V N チャンネルパワー MOSFET です。低 RDS ( on )により、システム効率が向上します 低しきい値電圧 省スペース： 1.6 x 1.6 mm ESD保護ゲート 用途: 負荷 / 電源スイッチ 電源変換回路 バッテリマネージメント

ロジックタイプ = インバータ。出力タイプ = LSTTL。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = なし。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 105 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = LS。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。74HCUファミリ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック(バッファなし) 供給電圧Vcc範囲: 2.0 → 6.0 V シンク又はソース: 4 mA @ Vcc = 4.5 V ESD保護は、JESD22の200 Vマシンモデル(A115-A)、2000 V人体モデル(A114-A)、1000 V帯電デバイスモデルに対応

パッケージタイプ = TO-3P。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 312 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 70 m Ω (標準) @ VGS = 10 V 、 ID = 19 A 低ゲート電荷量(標準) 60 nC ) 低 CRSs (標準) 60PF ) ESD改善機能 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

標準ツェナー電圧 = 16V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 15mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Max = +200 ℃。ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲： 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格 - DO-41 ( DO-204AL )パッケージ - ダブルスラグタイプ構造

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 15mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 5.21 x 2.72 x 2.72mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲： 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格 - DO-41 ( DO-204AL )パッケージ - ダブルスラグタイプ構造

標準ツェナー電圧 = 13V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲： 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格 - DO-41 ( DO-204AL )パッケージ - ダブルスラグタイプ構造

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = WLCSP。ピン数 = 6。寸法 = 1.5 x 1 x 0.33mm。長さ = 1.5mm。幅 = 1mm。高さ = 0.33mm。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 1.5 V。動作温度 Min = -40 ℃。DISO ロードスイッチ 入力電源動作電圧範囲： 1.5 → 5.5 V RON 50 m Ω @ VIN = 3.3 V / チャンネル(標準) 真の逆流防止( TRCB ) 1< μ F の出力で 130 μ s に制御される固定スルーレート ISW ：チャネルあたり 1.5 A (最大) FPF1321 の急速放電機能 ESD 保護： 人体モデル>： 6 kV 充電済みデバイスモデル>： 1.5 kV IEC 61000-4-2 空中放電：> 15 kV IEC 61000-4-2 接触放電：> 8 kV 用途 スマートフォン / タブレット PC 携帯機器 近距離無線通信( NFC )に対応しています SIM カード電源

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 39 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 66 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 37 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.9mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 51 A。最大ドレイン-ソース間電圧 250 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 320000 mW。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.83mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 23 A。最大ドレイン-ソース間電圧 400 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 235 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 5mm。動作温度 Min -55 ℃V。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

標準ツェナー電圧 = 24V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 70Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 22mV/K。このシリーズのツェナーダイオードは、便利な表面実装プラスチック SOT-23 パッケージで提供されています。これらのデバイスは、最小スペース要件で電圧調整を行うように設計されています。携帯電話、ハンドヘルドポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です。FR-4 または FR-5 ボードの定格出力 257mW ツェナー故障電圧範囲 - 2.4V ～ 75V 最適な自動基板アセンブリ用に設計されたパッケージです 高密度アプリケーション用の小型パッケージサイズ 人体>モデルごとのクラス 3 ( 16 kV )の ESD 定格 機械的な特性

ピン数 = 14。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = -55 ℃。MC14016B クワッド双方向スイッチは、単一のモノリシック構造の MOS P チャンネル及び N チャンネル拡張モードデバイスで構成されています。各 MC14016B は、デジタルまたはアナログ信号を制御できる 4 つの独立したスイッチで構成されています。このクワッド双方向スイッチは、信号ゲート、チョッパ、変調器、復調器、 CMOS ロジックの実装に使用されます。すべての入力でダイオードを保護します 供給電圧範囲： 3.0 → 18 V dc 線形化された転送特性 低ノイズ - 12 nV/qルート(サイクル)、 f> = 1.0 kHz (標準) CD4016B 、 CD4066B のピン交換(注意：転送特性設計の改善により CD4016 よりも寄生カップリング静電容量が増大) 低 RON の場合は、 HC4016 高速 CMOS デバイスまたは MC14066B を使用します このデバイスには、 ESD 保護機能のない入力と出力があります。静電気防止対策を講じる必要があります。

標準ツェナー電圧 = 10V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-523。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 160 Ω @ 1 mA， 20 Ω @ 5 mA。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm。自動車規格 = AEC-Q101mA。このツェナーダイオード電圧レギュレータは、 SOD-523 表面実装パッケージに収められています。電圧調整保護を提供するように設計されており、スペースが限られている場合に特に魅力的です。携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です。標準ツェナー降伏電圧範囲： 2.4 → 75 V 定格安定状態： 500 mW 小型ボディ外形寸法： 0.047 インチ x 0.032 インチ( 1.20 mm x 0.80 mm ) 低いボディ高： 0.028 インチ( 0.7 mm ) クラス 3 (> 16 kV )人体モデルの ESD 定格 エポキシは UL94 、 VO に適合 極性バンドでカソードを表示 リード仕上げ： 100 % つや消しスズ 認定最大リフロー温度： 260C デバイスは MSL 1 の要件に適合します 鉛フリーパッケージを用意 用途 携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボードなど、スペースが限られている用途に適しています。

標準ツェナー電圧 = 2.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 30 Ω， 1200 Ω。最大逆漏れ電流 = 100μA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃V。便利な表面実装プラスチック SOD-123 パッケージに収められた 3 つのツェナーダイオード完全シリーズ。これらのデバイスは、リードレス 34 パッケージスタイルの便利な代替品となります。FR-4 又は FR-5 ボードの定格 500 mW 広いツェナー逆電圧範囲： 2.4 → 110 V 最適な自動基板アセンブリ用のパッケージです 高密度用途向けの小型パッケージサイズ 汎用、中電流 人体モデルごとにクラス 3 の ESD 定格( 16 kV 超 ケース：無骨、転写成型、熱硬化性プラスチックケース 仕上げ：耐腐食性仕上げで、簡単にはんだ付けできます はんだ付け目的での最大ケース温度： 260 ° C ( 10 秒間) 極性：カソードは極性バンドで表示 鉛フリーパッケージを用意 PPAP対応 品番の先頭が「 SZ 」の場合は、固有のサイトや制御変更の要件を必要とする車載用途やその他の用途向けです

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。論理回路 = VHC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14.5 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4.5mm。MC74VHC00 は、シリコンゲート CMOS 技術で製造された Advanced High Speed CMOS 2 入力 NAND ゲートです。CMOS の低消費電力を維持しながら、同等のバイポーラショットキー TTL に匹敵する高速動作を実現しています。内部回路は、ノイズ耐性に優れ、出力が安定したバッファ出力をはじめとする 3 段階から構成されています。入力は最大 7 V の電圧に耐え、 5 V システムのインターフェイスを 3 V システムに対応できます。高速： tpd = 3.7 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力： ICC = 2 μ A (最大) @ TA = 25 C 高ノイズ耐性： VNIH = VNIL = 28 % VCC 入力にパワーダウン保護機能を実現 平衡伝搬遅延 2 → 5.5 V の動作範囲に対応する設計です 低ノイズ： VolP = 0.8 V (最大) 他の標準ロジックファミリと互換性があるピン配置及び機能 ラッチアップ性能は 300 mA を超えます ESD 性能： HBM> 2000V 、機械モデル> 200V チップの複雑さ： 32 FET または 8 つの同等の Gates