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最大順方向電流 = 500mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 125V。パッケージタイプ = DO-204AH。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 920mV。最大ダイオードキャパシタンス = 6pF。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 3.6mm。寸法 = 1.5 (Dia.) x 3.6 (L)mm。直径 = 1.5mm。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 44 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 120 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 750 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 15.87mm。順方向ダイオード電圧 1.2V。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。