「jfe」の検索結果

チャンネルタイプ = PIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 to -15mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30Vトランジスタ構成 = シングル実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm幅 = 1.3mmPチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲート オンキャパシタンス = 28pF寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm幅 = 1.3mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 40mA最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 25Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 85pFソースゲート オンキャパシタンス = 85pF寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm幅 = 3.86mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 8mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 0.2 V最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 40V回路構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm高さ = 0.93mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 8 to 80mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 0.4 V最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 40Vトランジスタ構成 = シングル実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.97mm幅 = 1.3mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 20mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲート オンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm幅 = 4.19mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲート オンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm高さ = 5.33mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 2mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲート オンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm幅 = 4.19mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = PIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 to -25mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm幅 = 1.3mmPチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 1.2 to 3mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30Vトランジスタ構成 = シングル実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-883ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 4pFソースゲート オンキャパシタンス = 4pF寸法 = 1.08 x 0.68 x 0.41mm高さ = 0.41mmNチャンネルJFET、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOP電源タイプ = 単一電源回路数 = 4ピン数 = 14標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V標準ゲイン帯域幅積 = 4.5MHz標準スルーレート = 13V/μs最大動作周波数 = 1 MHz動作温度 Min = -40 ℃標準電圧ゲイン = 100 dB幅 = 4.5mmON Semiconductor MC33071/2/4 、 MC34071/2/4 、 NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 、 MC34071 / 72 / 74 、 NCV33072 / 74A シリーズは、シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅、 13 V/ μs のスルーレートを備え、 JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが、コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため、単電源での動作にも適しています。このオペアンプは、高入力抵抗、低入力オフセット電圧、高ゲインを特長としています。これらの製品は、プラスチック製の DIP 、 SOIC 、 TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10，000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC電源タイプ = 単一電源回路数 = 4ピン数 = 14標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V標準ゲイン帯域幅積 = 4.5MHz標準スルーレート = 13V/μs最大動作周波数 = 100 kHz動作温度 Max = +85 ℃標準電圧ゲイン = 100 dB幅 = 4mmON Semiconductor MC33071/2/4 、 MC34071/2/4 、 NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 、 MC34071 / 72 / 74 、 NCV33072 / 74A シリーズは、シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅、 13 V/ μs のスルーレートを備え、 JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが、コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため、単電源での動作にも適しています。このオペアンプは、高入力抵抗、低入力オフセット電圧、高ゲインを特長としています。これらの製品は、プラスチック製の DIP 、 SOIC 、 TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10，000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOP電源タイプ = 単一電源回路数 = 4ピン数 = 14標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V標準ゲイン帯域幅積 = 4.5MHz標準スルーレート = 13V/μs最大動作周波数 = 1 MHz動作温度 Min = -40 ℃標準電圧ゲイン = 100 dB幅 = 4.5mmON Semiconductor MC33071/2/4 、 MC34071/2/4 、 NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 、 MC34071 / 72 / 74 、 NCV33072 / 74A シリーズは、シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅、 13 V/ μs のスルーレートを備え、 JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが、コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため、単電源での動作にも適しています。このオペアンプは、高入力抵抗、低入力オフセット電圧、高ゲインを特長としています。これらの製品は、プラスチック製の DIP 、 SOIC 、 TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10，000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路