「m-c-14」の検索結果

デバイスタイプ = モジュレータ/デモジュレータモジュレーションタイプ = バランス最大I/Q周波数 = 300MHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14最大供給電流 = 5 mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.75mm高さ = 1.75mm長さ = 8.75mm幅 = 4mmMC1496平衡変調器 / 復調器. MC1496 平衡変調器 / 復調器の出力電圧は、入力電圧(信号)とスイッチング機能(搬送波)から得られます。. 搬送波抑圧: -65 dB @ 0.5 MHz、-50 dB @ 10 MHz 調整可能なゲイン及び信号処理 平衡入力 / 出力 コモンモード除去: -85 dB (標準) 動作温度範囲: 0 → +70 ℃ ( MC1496 )、-40 → +125 ℃ ( MC1496B ) 用途: 抑圧搬送波 / 振幅変調、同期検出、FM検出、相検出 RS製品コード ； 787-8715 787-8715 : MC1496BDG ； 787-8712 787-8712 : MC1496DR2G ； 787-8718 787-8718 : MC1496BDR2G

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 16ロジックタイプ = レベルシフタmm伝播遅延テスト条件 = 50pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 280 ns @ 50 pF動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 3 V自動車規格 = AEC-Q100

最大出力周波数 = 0.7MHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICMHzピン数 = 16寸法 = 10.45 x 7.6 x 2.4mm高さ = 2.4mm長さ = 10.45mm動作供給電圧 Max = 18 V動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 3 V動作温度 Min = -55 ℃幅 = 7.6mm電圧制御発振器(VCO)、ON Semiconductor. PLLベースの電圧制御発振器(VCO)です。

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V， 250 ns @ 5 V， 80 ns @ 15 V高レベル出力電流 Max = -4.2mA低レベル出力電流 Max = 4.2mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 4000寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm幅 = 4mm4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

パッケージタイプ = SOIC Wロジックタイプ = シフトレジスターステージ数 = 64論理回路 = CMOS実装タイプ = 表面実装動作/操作モード = シリアルエレメント数 = 1ピン数 = 16動作供給電圧 Min = -0.5 V動作供給電圧 Max = 18 V寸法 = 10.45 x 7.6 x 2.4mmトリガータイプ = 負エッジ4000シリーズカウンタ / シフトレジスタ、ON Semiconductor

パッケージタイプ = SOICロジックタイプ = シフトレジスターステージ数 = 8論理回路 = CMOS実装タイプ = 表面実装動作/操作モード = パラレル to シリアルエレメント数 = 1ピン数 = 16動作供給電圧 Min = -0.5 V動作供給電圧 Max = 18 V寸法 = 10 x 4 x 1.5mmリセットタイプ = 非シンクロナス4000シリーズカウンタ / シフトレジスタ、ON Semiconductor

論理回路 = CMOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 16ロジックタイプ = レベルシフタmm低レベル出力電流 Max = 2.4mA高レベル出力電流 Max = -2.4mA伝送 = CMOS， TTL to CMOS伝播遅延テスト条件 = 50pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 550 ns @ 50 pF動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 3 V動作温度 Min = -55 ℃4000シリーズロジックレベルトランスレータ、電圧トランスレータ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装タイマータイプ = 規格パッケージタイプ = SOIC内部タイマー数 = 1ピン数 = 8動作供給電圧 Min = 4.5 V動作供給電圧 Max = 16 V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃最大静止電流 = 15mA高レベル出力電流 Max = 200mA幅 = 4mm555タイマ、ON Semiconductor. ON Semiconductorの業界標準の555タイマは、正確なタイミングのパルスを発生させることが可能な非常に安定したコントローラです。 単安定動作では、外部抵抗器1個とコンデンサ1個で時間遅延を制御します。 無安定動作では、周波数及びデューティーサイクルは外部抵抗器2個とコンデンサ1個で正確に制御されます。

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 2ゲートあたりの入力数 = 4パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 4000入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 300 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = -5 V低レベル出力電流 Max = 4.2mA自動車規格 = AEC-Q100mm4000シリーズロジックゲート、ON Semiconductors

ピン数 = 14実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作温度 Min = -55 ℃MC14016B クワッド双方向スイッチは、単一のモノリシック構造の MOS P チャンネル及び N チャンネル拡張モードデバイスで構成されています。各 MC14016B は、デジタルまたはアナログ信号を制御できる 4 つの独立したスイッチで構成されています。このクワッド双方向スイッチは、信号ゲート、チョッパ、変調器、復調器、 CMOS ロジックの実装に使用されます。すべての入力でダイオードを保護します 供給電圧範囲： 3.0 → 18 V dc 線形化された転送特性 低ノイズ - 12 nV/qルート(サイクル)、 f> = 1.0 kHz (標準) CD4016B 、 CD4066B のピン交換(注意：転送特性設計の改善により CD4016 よりも寄生カップリング静電容量が増大) 低 RON の場合は、 HC4016 高速 CMOS デバイスまたは MC14066B を使用します このデバイスには、 ESD 保護機能のない入力と出力があります。静電気防止対策を講じる必要があります。

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 10 x 4 x 1.75mm動作温度 Min = -55 ℃MC14051B 、 MC14052B 、および MC14053B アナログマルチプレクサは、デジタル制御のアナログスイッチです。MC14051B は、 SP8T ソリッドステートスイッチ、 MC14052B DP4T 、および MC14053B トリプル SPDT を効果的に実装しています。3 つのデバイスはすべて、低オンインピーダンスと非常に低いオフ漏洩電流を特長としています。完全な供給電圧範囲までのアナログ信号を制御できます。制御入力のトリプルダイオード保護 スイッチ機能はブレークビフォアメイクです 供給電圧範囲： 3.0 → 18 V dc アナログ電圧範囲( VDD - VEE ) = 3.0 → 18 V (注意)： VEE< は VSS にする必要があります 線形化された転送特性 低ノイズ - 12 nV/sqrt.Cycle， f< = 1.0 kHz 標準 CD4051 、 CD4052 、および CD4053 のピン間交換 4PDT スイッチについては、 MC14551B を参照してください 低 RON の場合は、 HC4051 、 HC4052 、または HC4053 高速 CMOS デバイスを使用します 鉛フリーパッケージを用意

論理回路 = 4000ラッチモード = 透明ラッチエレメント = RSラッチ1チップ当たりのエレメント数 = 1回路数 = 4出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16セット/リセット = Yes寸法 = 10 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm長さ = 10mm幅 = 4mmMC14043B / MC14044B クワッド R-S ラッチは、 1 つのモノリシック構造に MOS P チャンネル及び N チャンネル拡張モードデバイスが組み込まれています。各ラッチには、独立した Q 出力、セット入力、リセット入力があります。Q 出力は、共通のイネーブル入力を備えた 3 ステートバッファによってゲートされます。出力はイネーブル入力で論理「 1 」又は「高」でイネーブルにし、論理「 0 」又は「低」によってラッチを Q 出力から切り離して、 Q 出力で開回路にします。ダブルダイオード入力保護 3 ステート出力と共通イネーブル 定格温度範囲で 2 つの低電力 TTL 負荷又は 1 つの低電力ショットキー TTL 負荷を駆動できる出力 供給電圧範囲： 3.0 → 18 V dc 鉛フリーパッケージを用意

論理回路 = 4000ロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 6入力タイプ = CMOS極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16高レベル出力電流 Max = -4.7mA低レベル出力電流 Max = 30mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 140 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = +18 Vmm幅 = 4mm4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

論理回路 = 4000ラッチモード = 透明ラッチエレメント = SRタイプビット数 = 4bit出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16セット/リセット = Yes寸法 = 10 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm長さ = 10mm動作供給電圧 Max = 18 Vmm4000シリーズフリップフロップ及びラッチ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 18 V動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 3 V4000シリーズエンコーダ / デコーダ、マルチプレクサ / デマルチプレクサ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = XOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -10mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 150ns動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 10mA幅 = 4mm4000シリーズロジックゲート、ON Semiconductors