「ma300」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmFairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmFairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35最大連続 順方向電流 = 300mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 小信号ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆回復時間 = 4ns直径 = 1.91mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-80最大連続 順方向電流 = 300mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-80最大連続 順方向電流 = 300mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4ns直径 = 1.5mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35最大連続 順方向電流 = 300mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 小信号ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4ns直径 = 1.53mmON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mm寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mmON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523F最大連続 順方向電流 = 300mAピーク逆繰返し電圧 = 75Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオードピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-523Fピン数 = 2mV最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mm寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mmパワー消費 = 200mWON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 2最小DC電流ゲイン = 5000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 100nA幅 = 1.4mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 2最小DC電流ゲイン = 5000最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 100nA幅 = 1.4mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.3mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 = 1V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mmON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-23 ( TO-236実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 20000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 100nA寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大パワー消費 = 266 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.35mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルNチャンネルMOSFET、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 2.92mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

デバイスタイプ = モジュレータ/デモジュレータモジュレーションタイプ = バランス最大I/Q周波数 = 300MHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14最大供給電流 = 5 mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.75mm高さ = 1.75mm長さ = 8.75mm幅 = 4mmMC1496平衡変調器 / 復調器. MC1496 平衡変調器 / 復調器の出力電圧は、入力電圧(信号)とスイッチング機能(搬送波)から得られます。. 搬送波抑圧: -65 dB @ 0.5 MHz、-50 dB @ 10 MHz 調整可能なゲイン及び信号処理 平衡入力 / 出力 コモンモード除去: -85 dB (標準) 動作温度範囲: 0 → +70 ℃ ( MC1496 )、-40 → +125 ℃ ( MC1496B ) 用途: 抑圧搬送波 / 振幅変調、同期検出、FM検出、相検出 RS製品コード ； 787-8715 787-8715 : MC1496BDG ； 787-8712 787-8712 : MC1496DR2G ； 787-8718 787-8718 : MC1496BDR2G

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ダーリントン最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 300μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms最大電流変換率 = 15000%標準降下時間 = 100μsシリーズ = FODオプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトダーリントン最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 300μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5 kVrms最大電流変換率 = 15000%標準降下時間 = 100μsシリーズ = FODオプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧PNPトランジスタ、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 7500 V ac最大電流変換率 = 300%標準降下時間 = 5μsシリーズ = H11AGオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -120 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 110 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor