「mc-02」の検索結果

実装タイプ = 表面実装。タイマータイプ = 規格。パッケージタイプ = SOIC。内部タイマー数 = 1。ピン数 = 8。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作供給電圧 Max = 16 V。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +85 ℃。最大静止電流 = 15mA。高レベル出力電流 Max = 200mA。幅 = 4mm。555タイマ、ON Semiconductor. ON Semiconductorの業界標準の555タイマは、正確なタイミングのパルスを発生させることが可能な非常に安定したコントローラです。 単安定動作では、外部抵抗器1個とコンデンサ1個で時間遅延を制御します。 無安定動作では、周波数及びデューティーサイクルは外部抵抗器2個とコンデンサ1個で正確に制御されます。

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力数 = 1。ラインレギュレーション = 100 mV。精度 = ±4%。極性 = 正。パッケージタイプ = D2PAKmA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.24 x 9.35 x 30.02mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。長さ = 10.24mm。ON Semiconductor 5V MC7805リニア電圧レギュレータ. ON Semiconductor優れた5Vリニア電圧レギュレータは、MC7805ファミリに属しています。これらの製品は、ローカル、オンカード調整など、幅広い用途向けの固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック統合回路です。正電圧7805電圧レギュレータは外付け部品を必要とせず、内部の熱過負荷保護と電流制限、さらに安全領域補償を内蔵しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = ±2電源， 単一電源。回路数 = 2。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V。標準ゲイン帯域幅積 = 1.8MHz。標準デュアル供給電圧 = ±1.5 → ±22V。標準スルーレート = 2.1V/μs。最大動作周波数 = 100 kHz。動作温度 Min = -40 ℃。レール to レール = No。幅 = 4mm。MC33171/2/4、MCV33172、低電力、シングル電源、3 → 44 V、オペアンプ、ON Semiconductor. MC33171 (シングル)、MC33172 (デュアル)、MC33174 (クワッド) 低供給電流: アンプあたり180 μA 広帯域幅: 1.8 MHz 高スルーレート: 2.1 V/μs 低入力オフセット電圧: 2 mV 車載用途向けのNCV33172、AEC-Q100認定

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 4。ピン数 = 14。標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V。標準ゲイン帯域幅積 = 4.5MHz。標準スルーレート = 13V/μs。最大動作周波数 = 100 kHz。動作温度 Max = +85 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 4mm。ON Semiconductor MC33071/2/4 、 MC34071/2/4 、 NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 、 MC34071 / 72 / 74 、 NCV33072 / 74A シリーズは、シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅、 13 V/ μs のスルーレートを備え、 JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが、コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため、単電源での動作にも適しています。このオペアンプは、高入力抵抗、低入力オフセット電圧、高ゲインを特長としています。これらの製品は、プラスチック製の DIP 、 SOIC 、 TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10，000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路

アンプタイプ = オペアンプ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = マイクロ。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 13 V。標準ゲイン帯域幅積 = 2.2MHz。出力タイプ = レール ツー レール。標準スルーレート = 1V/μs。最大動作周波数 = 100 kHz。動作温度 Min = -40 ℃。標準電圧ゲイン = 300 kV/VmV。寸法 = 3.1 x 3.1 x 0.95mm。ON Semiconductor MC33201/2/4、NCV33202/4、12 V 低ノイズ、レールツーレール入出力、高出力ドライブオペアンプ. ON Semiconductor MC33201/2/4、NCV33202/4 オペアンプは、入力と出力のいずれでもレールツーレール動作を実現します。入力は200mVの高さにまで駆動でき、出力で電源レールを越えても位相反転がなく、レールごとの出力振幅は50 mV以内です。レール・ツー・レール動作により、電源電圧範囲をフルに活用できます。 出力電流ブースト技術で高出力電流が可能になる一方でアンプのドレイン電流は最小に保たれます。ノイズと歪みが低くスルー・レートとドライブが高いという能力の組み合わせにより、オーディオ・アプリケーションに最適です。. 低電圧、単一電源動作(+1.8 V / アース → +12 V / アース) 両電源レールを含む入力電圧範囲 両レールとも50mV以内の出力電圧の振幅 過駆動入力信号の出力で位相反転なし 高出力電流(ISC = 80 mA、標準) 低供給電流(ID = 0.9 mA、標準) 出力駆動能力：600 W 標準ゲイン帯域幅積：2.2 MHz

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 4。ピン数 = 14。標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V。標準ゲイン帯域幅積 = 4.5MHz。標準スルーレート = 13V/μs。最大動作周波数 = 1 MHz。動作温度 Min = -40 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 4.5mm。ON Semiconductor MC33071/2/4 、 MC34071/2/4 、 NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 、 MC34071 / 72 / 74 、 NCV33072 / 74A シリーズは、シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅、 13 V/ μs のスルーレートを備え、 JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが、コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため、単電源での動作にも適しています。このオペアンプは、高入力抵抗、低入力オフセット電圧、高ゲインを特長としています。これらの製品は、プラスチック製の DIP 、 SOIC 、 TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10，000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 4。ピン数 = 14。標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V。標準ゲイン帯域幅積 = 4.5MHz。標準スルーレート = 13V/μs。最大動作周波数 = 1 MHz。動作温度 Min = -40 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 4.5mm。ON Semiconductor MC33071/2/4 、 MC34071/2/4 、 NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 、 MC34071 / 72 / 74 、 NCV33072 / 74A シリーズは、シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅、 13 V/ μs のスルーレートを備え、 JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが、コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため、単電源での動作にも適しています。このオペアンプは、高入力抵抗、低入力オフセット電圧、高ゲインを特長としています。これらの製品は、プラスチック製の DIP 、 SOIC 、 TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10，000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 8 V。ラインレギュレーション = 175 mV。ロードレギュレーション = 60 mV。極性 = 正。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。出力タイプ = 固定。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 4mm。MC78L00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. この注目の ON Semiconductor 5 V リニア電圧レギュレータは、 MC78L00A ファミリに属しています。これらの製品はモノリシック集積回路で、ローカルやカード上のレギュレーションをはじめとする幅広い用途向けに固定電圧レギュレータとして設計されています。この正電圧レギュレータには、外部コンポーネントが不要で、内部に熱過負荷保護と電流制限、安全面積補償が組み込まれています。外付け部品なしで、外部機器の電圧及び電流を調整できます。

論理回路 = HC。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ， 非反転バッファ。回路数 = 1。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120ns。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 10pF

ロジックタイプ = XOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 4000。動作供給電圧 Max = 18 V。高レベル出力電流 Max = -10mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 150ns。動作供給電圧 Min = 3 V。低レベル出力電流 Max = 10mA。幅 = 4mm。4000シリーズロジックゲート、ON Semiconductors

デバイスタイプ = モジュレータ/デモジュレータ。モジュレーションタイプ = バランス。最大I/Q周波数 = 300MHz。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。最大供給電流 = 5 mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.75mm。高さ = 1.75mm。長さ = 8.75mm。幅 = 4mm。MC1496平衡変調器 / 復調器. MC1496 平衡変調器 / 復調器の出力電圧は、入力電圧(信号)とスイッチング機能(搬送波)から得られます。. 搬送波抑圧: -65 dB @ 0.5 MHz、-50 dB @ 10 MHz 調整可能なゲイン及び信号処理 平衡入力 / 出力 コモンモード除去: -85 dB (標準) 動作温度範囲: 0 → +70 ℃ ( MC1496 )、-40 → +125 ℃ ( MC1496B ) 用途: 抑圧搬送波 / 振幅変調、同期検出、FM検出、相検出 RS製品コード ； 787-8715 787-8715 : MC1496BDG ； 787-8712 787-8712 : MC1496DR2G ； 787-8718 787-8718 : MC1496BDR2G

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力電圧 = 15 V。ラインレギュレーション = 20 mV。ロードレギュレーション = 25 mV%。極性 = 正。静止電流 = 3.5mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.28 x 4.82 x 30.02mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 4.82mm。MC7815リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductorのリニア電圧レギュレータは、2 %又は4 %の公差で15 Vの固定電圧を出力します。 MC7815正電圧レギュレータには、安全動作領域補償が組み込まれています。また、内部の電流制限及びサーマルシャットダウン過負荷保護の機能も備えています。 出力を調整する場合を除き、外部コンポーネントは不要です。 このデバイスは、電子産業におけるさまざまな用途に適しています。. 出力電圧: 15 V 鉛フリーパッケージを用意

論理回路 = AC。ロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ。回路数 = 8。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns@ 50 pF。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 8。ロジックタイプ = トランスレータmm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -3mA。伝播遅延テスト条件 = 20pF。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.1 ns @ 20 pF。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 3.6 V。動作温度 Min = -40 ℃。MC100EPT26 は、 1 ： 2 ファンアウト差動 LVPECL-LVTTL トランスレータです。LVPECL (正の ECL )レベルは +3.3V のみが使用されており、アースが必要です。EPT26 は、小型 8 リード SOIC パッケージと 1 ： 2 ファンアウト設計で、密にパックされた基板で信号の低スキュー複製を必要とする用途に最適です。VBB 出力により、 EPT26 をシングルエンド入力モードで使用することができます。このモードでは、 VBB 出力は非反転バッファの場合は D0bar 入力に、反転バッファの場合は D0 入力に結び付けられます。使用する場合は、 0.01 uF のコンデンサを使用して VBB ピンをアースにバイパスする必要があります。標準伝搬遅延： 1.4 ns 最大周波数>： 275 MHz (標準 100 シリーズは温度補償付きです 動作範囲： VCC = 3.0 → 3.6 V ( GND = 0 V 入力のデフォルト状態を開きます 入力の安全クランプ 24 mA TTL 出力 Q 出力は、入力がオープンまたは VEE VBB 出力の場合、デフォルトで LOW になります

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = あり。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 74AC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。論理回路 = VHC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14.5 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4.5mm。MC74VHC00 は、シリコンゲート CMOS 技術で製造された Advanced High Speed CMOS 2 入力 NAND ゲートです。CMOS の低消費電力を維持しながら、同等のバイポーラショットキー TTL に匹敵する高速動作を実現しています。内部回路は、ノイズ耐性に優れ、出力が安定したバッファ出力をはじめとする 3 段階から構成されています。入力は最大 7 V の電圧に耐え、 5 V システムのインターフェイスを 3 V システムに対応できます。高速： tpd = 3.7 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力： ICC = 2 μ A (最大) @ TA = 25 C 高ノイズ耐性： VNIH = VNIL = 28 % VCC 入力にパワーダウン保護機能を実現 平衡伝搬遅延 2 → 5.5 V の動作範囲に対応する設計です 低ノイズ： VolP = 0.8 V (最大) 他の標準ロジックファミリと互換性があるピン配置及び機能 ラッチアップ性能は 300 mA を超えます ESD 性能： HBM> 2000V 、機械モデル> 200V チップの複雑さ： 32 FET または 8 つの同等の Gates

管理数 = 1。最大リセット閾値電圧 = 1.29V。最小リセット閾値電圧 = 1.24V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = マイクロ。ピン数 = 8。寸法 = 3.1 x 3.1 x 0.95mm。最大リセット閾値電圧 = 4V。動作供給電圧 Max = 40 V。自動車規格 = AEC-Q100V。自動車用 NCV バージョン 一意のモード選択入力により、チャネルプログラミングが可能です 過電圧、低電圧、窓電圧検出 正 / 負電圧検出 2.0 V で完全に機能し、正の電圧検出に使用し、負の電圧検出には 4.0 V を使用します 電流制限保護付き 2.54 V リファレンスをピン配列しています 低待機電流 オープンコレクタ出力により、デバイスの柔軟性が向上 鉛フリーパッケージを用意 用途 電子ボディ 制動 インフォテイメント インストルメントクラスタ ナギブーター 乗員の快適性 乗員保護 パワートレイン

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 16。ロジックタイプ = レベルシフタmm。伝播遅延テスト条件 = 50pF。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 280 ns @ 50 pF。動作温度 Max = +125 ℃。動作供給電圧 Min = 3 V。自動車規格 = AEC-Q100

出力電流 = 1.5 A。供給電圧 = 18V。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。出力数 = 2。トポロジー = ハイ/ローサイド。ドライバ数 = 2。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。ON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = ACT。入力タイプ = TTL。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4mm。MC74ACTシリーズ，オン・セミコンダクター

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。論理回路 = VHC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 8mA。幅 = 4.5mm。74VHCファミリ、ON Semiconductor. ON Semiconductor社のアドバンスド74VHC高速シリコンゲートCMOSロジックファミリ製品は、CMOS低電力損失の利点を維持しながら、同等のバイポーラ ショットキーTTLと同様の高速動作を提供します。. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 5.5 V 7 V許容入力