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onsemi インバータ ヘキサインバータ / バッファ シングルエンド MC14049BDR2G
onsemi￥1,498税込￥1,6481袋(25個)7日以内出荷仕様●ロジックタイプ ： ヘキサインバータ / バッファ●入力タイプ ： シングルエンド●出力タイプ ： シングルエンド●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 140ns●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 16●寸法 ： 10 x 4 x 1.5mm●動作供給電圧 Max ： 18 Vmm●幅 ： 4mm●MC14049B ヘキサインバータ / バッファおよび MC14050B 非反転ヘキサバッファは●単一モノリシック構造の MOS P チャネルおよび N チャネル拡張モードデバイスで構成されます。これらの補完的な MOS デバイスは●低消費電力や高ノイズ耐性が求められる場合に●主に使用されます。これらのデバイスは● 1 つの電源電圧 VDD のみを使用してロジックレベル変換を行います。 入力信号の高レベル (VIH) は●ロジックレベル変換用の VDD 供給電圧を超えることができます。デバイスを CMOS から TTL/DTL へのコンバータとして使用する場合● 2 つの TTL/DTL 負荷を駆動でき<>ます (VDD ： 5.0V ● VOL ： 0.4V ● IOL ： 3.2mA) 。ソースおよびシンク電流が高い 高レベルから低レベルへのコンバータ 供給電圧範囲 ： 3.0V ～ 18V すべての入力の ESD 保護を強化RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ヘキサインバータ バッファ、インバータ CMOS MC14049UBDG
onsemi￥2,298税込￥2,5281セット(48個)7日以内出荷仕様●ロジックタイプ ： バッファ●インバータ●入力タイプ ： CMOS●1チップ当たりのエレメント数 ： 6●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 120ns●高レベル出力電流 Max ： -4.7mA●低レベル出力電流 Max ： 30mA●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 16●寸法 ： 10 x 4 x 1.5mm●高さ ： 1.5mm●幅 ： 4mm●MC14049UB 六角インバータバッファは● 1 つのモノリシック構造に MOS P チャンネル及び N チャンネル拡張モードデバイスが組み込まれています。この相補型 MOS デバイスは●低消費電力と高ノイズ耐性が求められる一次的用途を見つけます。このデバイスは● 1 つの電源電圧 VDD のみを使用したロジックレベル変換を提供します。 入力信号の高レベル VIH は●ロジックレベル変換のための VDD 供給電圧を超えることができます。 2 つの TTL DTL DTL 負荷は●デバイスを CMOS/TTL DTL コンバータとして使用する場合に駆動できます VDD ： 5.0 V ● VOL 0.4 V IOL 3.2 mA です。ピン 13 とピン 16 はこのデバイスの内部で接続されていないため●これらの端子への接続は回路の動作に影響しません。高ソース電流及びシンク電流 高 - 低レベルコンバータ 供給電圧範囲： 3.0 → 18 V VIN は VDD を超えることがあります 全入力の ESD 保護が向上しています 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
