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論理回路 = HC。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ， 非反転バッファ。回路数 = 1。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120ns。寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 10pF

アンプタイプ = オペアンプ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = マイクロ。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 13 V。標準ゲイン帯域幅積 = 2.2MHz。出力タイプ = レール ツー レール。標準スルーレート = 1V/μs。最大動作周波数 = 100 kHz。動作温度 Min = -40 ℃。標準電圧ゲイン = 300 kV/VmV。寸法 = 3.1 x 3.1 x 0.95mm。ON Semiconductor MC33201/2/4、NCV33202/4、12 V 低ノイズ、レールツーレール入出力、高出力ドライブオペアンプ. ON Semiconductor MC33201/2/4、NCV33202/4 オペアンプは、入力と出力のいずれでもレールツーレール動作を実現します。入力は200mVの高さにまで駆動でき、出力で電源レールを越えても位相反転がなく、レールごとの出力振幅は50 mV以内です。レール・ツー・レール動作により、電源電圧範囲をフルに活用できます。 出力電流ブースト技術で高出力電流が可能になる一方でアンプのドレイン電流は最小に保たれます。ノイズと歪みが低くスルー・レートとドライブが高いという能力の組み合わせにより、オーディオ・アプリケーションに最適です。. 低電圧、単一電源動作(+1.8 V / アース → +12 V / アース) 両電源レールを含む入力電圧範囲 両レールとも50mV以内の出力電圧の振幅 過駆動入力信号の出力で位相反転なし 高出力電流(ISC = 80 mA、標準) 低供給電流(ID = 0.9 mA、標準) 出力駆動能力：600 W 標準ゲイン帯域幅積：2.2 MHz