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RoHS10物質対応(8)
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onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥469税込￥516
1袋(5個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥499税込￥549
1袋(5個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.5V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V幅 = 1.4mm高さ = 0.94mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥419税込￥461
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：0.0833●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.5 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥489税込￥538
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.5V●最大連続ドレイン電流：1.3 Aピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)160最大ゲート-ソース間電圧(V)8トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.7 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥619税込￥681
1袋(10個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm高さ = 0.94mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥419税込￥461
1袋(5個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm高さ = 0.94mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET600 V 20 A スルーホール パッケージTO-220F 3 ピンonsemi￥1,298税込￥1,428
1箱(2個)
7日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：20 AシリーズSuperFET IIピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮しますパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)39材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)600最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)170最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 20 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥209,800税込￥230,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 74 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -24 V， +24 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
