「na-150」の検索結果

標準ツェナー電圧 = 43V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 225 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 2mA。最大ツェナーインピーダンス = 150Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 46.6mV/℃。ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 30V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 225 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 2mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 16V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 7.8mA。最大ツェナーインピーダンス = 17Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.5 W。パッケージタイプ = SMA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 17mA。最大ツェナーインピーダンス = 17.5 Ω， 650Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 4.57 x 2.92 x 2.05mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード1.5 W、1SMA59xxBT、SZ1SMA59xxBTシリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 56V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 2mA。最大ツェナーインピーダンス = 200Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 14V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 225 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 9mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52xxBシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOT-23

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 33V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 3.8mA。最大ツェナーインピーダンス = 58Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 7.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 14Ω。最大逆漏れ電流 = 900nA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 37Ω。最大逆漏れ電流 = 900nA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F