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onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 8.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi￥969税込￥1,0661箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：8.8 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：29 nC @ 10 Vピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)20最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 6.9 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi￥1,098税込￥1,2081箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：6.9 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：29 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrench(R) MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造をパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)1600チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)22最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成絶縁型
