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  • onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92 onsemi

    onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92

    onsemi
    ¥2,298税込¥2,528
    1袋(50個)
    7日以内出荷
    チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 20mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。幅 = 4.19mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92 onsemi

    onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92

    onsemi
    ¥3,500税込¥3,850
    1袋(50個)
    7日以内出荷
    チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。高さ = 5.33mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin SOT-23 onsemi

    onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin SOT-23

    onsemi
    ¥1,098税込¥1,208
    1袋(25個)
    7日以内出荷
    チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。幅 = 1.3mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92 onsemi

    onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92

    onsemi
    ¥2,998税込¥3,298
    1袋(50個)
    7日以内出荷
    チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 2mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。幅 = 4.19mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi 74HCシリーズ フリップフロップ 表面実装 20-Pin SOIC onsemi

    onsemi 74HCシリーズ フリップフロップ 表面実装 20-Pin SOIC

    onsemi
    ¥2,398税込¥2,638
    1セット(36個)
    7日以内出荷
    論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = LSTTL。出力信号タイプ = シングルエンド。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。1チップ当たりのエレメント数 = 8。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 28 ns @ 45 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 7.5mm。74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92 onsemi

    onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92

    onsemi
    ¥3,398税込¥3,738
    1箱(50個)
    7日以内出荷
    仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)5.2×4.19×5.33高さ(mm)5.33ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)50最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 5最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28
  • onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92 onsemi

    onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92

    onsemi
    ¥2,998税込¥3,298
    1箱(50個)
    7日以内出荷
    仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 2最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28
  • onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92 onsemi

    onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin TO-92

    onsemi
    ¥2,198税込¥2,418
    1箱(50個)
    7日以内出荷
    仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)30最大ゲート-ソース間電圧(V)-35IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 20最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28
  • onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin SOT-23 onsemi

    onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin SOT-23

    onsemi
    ¥1,098税込¥1,208
    1箱(25個)
    7日以内出荷
    仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2.92×1.3×0.93ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)50最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 5最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28
  • onsemi Nチャンネル JFET, 15 V, 3-Pin SOT-23 onsemi

    onsemi Nチャンネル JFET, 15 V, 3-Pin SOT-23

    onsemi
    ¥2,598税込¥2,858
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2.9×1.3×1.04ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間電圧(V)15最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)30最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)20最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28
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