「pin 03」の検索結果

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 40mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 25V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 85pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 85pF。寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm。幅 = 3.86mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。幅 = 1.3mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 2mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。幅 = 4.19mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 20mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。幅 = 4.19mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。高さ = 5.33mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = -5 V。ラインレギュレーション = 50 mV。精度 = 4%。極性 = 負。パッケージタイプ = DPAK。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。高さ = 2.38mm。幅 = 6.22mm。負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 8mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 0.2 V。最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 40V。回路構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ω。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。高さ = 0.93mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 8 to 80mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 0.4 V。最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 40V。トランジスタ構成 = シングル。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.97mm。幅 = 1.3mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = P。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 to -25mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V。最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 Ω。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。幅 = 1.3mm。PチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 1.2 to 3mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30V。トランジスタ構成 = シングル。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-883。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 4pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 4pF。寸法 = 1.08 x 0.68 x 0.41mm。高さ = 0.41mm。NチャンネルJFET、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = P。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 to -15mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V。最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30V。トランジスタ構成 = シングル。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm。幅 = 1.3mm。PチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA。出力電圧 = 3 V。ラインレギュレーション = 0.02 %。ロードレギュレーション = 0.02 %。極性 = 正。静止電流 = 75μA。ピン数 = 3 + Tab。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.25mm。高さ = 2.25mm。幅 = 6.22mm。低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、最大120 mA、ON Semiconductor

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力電圧 = 12 V。ラインレギュレーション = 240 mV。ロードレギュレーション = 240 mV。極性 = 正。静止電流 = 8mA。ピン数 = 3。パワーレーティング = 15W。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 6.22mm。MC7812リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の 12 V リニア電圧レギュレータは、 MC7812 ファミリに属しています。これらの製品はモノリシック集積回路で、ローカルやカード上のレギュレーションをはじめとする幅広い用途向けに固定電圧レギュレータとして設計されています。ポジティブ 7812 電圧レギュレータには、外部コンポーネントは不要で、内部に熱過負荷保護と電流制限、安全区域補償が組み込まれています。外付け部品なしで、外部機器の電圧及び電流を調整できます。

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA。出力数 = 1。ラインレギュレーション = 0.3 %。ロードレギュレーション = 0.5 %%。極性 = 正。パッケージタイプ = DPAK。基準電圧 = 1.265V。出力タイプ = 可変。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 6.22mm。可変リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力電圧 = -12 V。ラインレギュレーション = 240 mV。ロードレギュレーション = 240 mV。極性 = 負。静止電流 = 8mA。ピン数 = 3。パワーレーティング = 15W。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 4.82mm。負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ショットキーダイオードは、主に高効率 UHF / VHF 検出器用途向けに設計されています。他の多くの高速スイッチング RF 及びデジタル用途に容易に適応できます。ショットキーダイオードは、低コスト、大容量、産業 / 商業要件向けの安価なプラスチックパッケージに収められています。少数キャリアの寿命が極めて低い 非常に低い静電容量 低い逆漏洩電流 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー