「rcm」の検索結果

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。寸法 = 10 x 6.198 x 1.499mm。動作供給電圧 Max = 6 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.2mA。低レベル出力電流 Max = 7.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 45 ns@ 150 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 7.59mm。74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

論理回路 = 74HC。ラッチモード = 透明。ラッチエレメント = Dタイプ。ビット数 = 8bit。出力タイプ = 3ステート。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。寸法 = 13.005 x 7.595 x 2.642mm。高さ = 2.642mm。長さ = 13.01mm。幅 = 7.595mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

パッケージタイプ = TSSOP。ロジックタイプ = シフトレジスター。ステージ数 = 8。論理回路 = 74HC。実装タイプ = 表面実装。動作/操作モード = シリアル to パラレル。エレメント数 = 1。ピン数 = 16。動作供給電圧 Min = 2 V。動作供給電圧 Max = 6 V。寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm。トリガータイプ = 正エッジ。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = LSTTL。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。セット/リセット = リセット。1チップ当たりのエレメント数 = 8。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 170ns。寸法 = 13.005 x 7.595 x 2.642mm。幅 = 7.595mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = LSTTL。出力信号タイプ = シングルエンド。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。1チップ当たりのエレメント数 = 8。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 28 ns @ 45 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 7.5mm。74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 18。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。入力レベル = CMOS。出力レベル = CMOS。高レベル出力電流 Max = -35mA。低レベル出力電流 Max = 35mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 135ns。幅 = 7.595mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = CMOS。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4.4mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = CMOS。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 7.5mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = CMOS。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。高さ = 2.34mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 20 ns @ 5 V。高レベル出力電流 Max = -4.8mA。低レベル出力電流 Max = 4.8mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HCT。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4mm。74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 113ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HCT。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -4.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 5 V。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 4.8mA。幅 = 4mm。74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = バッファ。回路数 = 4。入力タイプ = ショットキー。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 163ns。寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 150pF。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 6 V， 18 ns @ 4.5 V， 90 ns @ 2 V。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = HC。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC W。ピン数 = 20。入力レベル = CMOS。出力レベル = CMOS。高レベル出力電流 Max = -7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 96 ns @ 2 V。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 158ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 121 ns @ 2 V， 20 ns @ 6 V， 24 ns @ 4.5 V。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = AC。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4mm。74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74ACT。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 18。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。入力レベル = TTL。出力レベル = TTL。高レベル出力電流 Max = -75mA。低レベル出力電流 Max = 75mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9ns。幅 = 7.6mm。74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125 ns @ 2 V， 21 ns @ 6 V， 25 ns @ 4.5 V。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13.5ns。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = AC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13.5ns。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = AC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = OR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = ACT。入力タイプ = TTL。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4mm。74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = なし。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8.5 ns @ 5 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = ACT。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4mm。74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

パッケージタイプ = SOP。ロジックタイプ = シフトレジスター。ステージ数 = 8。論理回路 = VHC。実装タイプ = 表面実装。動作/操作モード = シリアル to パラレル。エレメント数 = 1。ピン数 = 14。動作供給電圧 Min = 2 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。寸法 = 10.2 x 5.3 x 1.8mm。リセットタイプ = 非シンクロナス。74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = D タイプ。出力タイプ = 3ステート。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 反転， 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。セット/リセット = Yes。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8ns。動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm。幅 = 4.4mm。74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = 74ACT。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ。インターフェース = バッファ&ラインドライバIC。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 12.5 ns @ 50 pF。寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm。動作供給電圧 Min = 4.5 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

論理回路 = AC。ロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ。回路数 = 8。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC W。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8 ns @ 3.3 V。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。動作供給電圧 Max = 6 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 5 V， 13.5 ns @ 3.3 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = AC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = VHC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 8mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 5。論理回路 = TinyLogic HS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -2.6mA。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 2.6mA。幅 = 1.7mm。TinyLogic HS、Fairchild Semiconductor. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 6.0 ESD保護ダイオード

論理回路 = 74LCX。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 4。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DQFN。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6.5 ns @ 50 pF。寸法 = 3 x 2.5 x 0.75mm。幅 = 2.5mm。74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。入力レベル = LVTTL， TTL。出力レベル = LVCMOS。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8 ns @ 2.7 V。寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm。74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バッファ。回路数 = 10。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF。寸法 = 13 x 7.6 x 2.34mm。動作供給電圧 Max = 3.6 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ。インターフェース = バッファ&ラインドライバIC。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6.5 ns @ 2.7 V。寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

パッケージタイプ = TSSOP。ロジックタイプ = シフトレジスター。ステージ数 = 8。論理回路 = 74VHC。実装タイプ = 表面実装。動作/操作モード = シリアル， パラレル。エレメント数 = 1。ピン数 = 16。動作供給電圧 Min = 2 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm。方向性タイプ = 単方向。74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = HC。ロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ。インターフェース = バッファ&ラインドライバIC。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC W。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = -7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165 ns @ 2 V。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 150pF。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = なし。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7 ns @ 5 V， 9 ns @ 3.3 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = AC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS