「s-101」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-563。最大連続 順方向電流 = 200mA。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ピーク逆回復時間 = 6ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mA。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.25V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 2.9mm。幅 = 1.3mm。高さ = 0.94mm。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

ダイオード構成 = コモンカソード。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 2.9mm。幅 = 1.3mm。高さ = 0.94mm。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

ダイオード構成 = コモンカソード。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOD-123。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 2.84mm。幅 = 1.8mm。高さ = 1.25mm。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOD-123。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 2.69mm。幅 = 1.6mm。高さ = 1.12mm。寸法 = 1.12 x 2.69 x 1.6mm。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = TO-220AC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 10.29mm。幅 = 4.82mm。高さ = 9.27mm。寸法 = 9.27 x 10.29 x 4.82mm。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 4.6mm。幅 = 3.95mm。高さ = 2.27mm。寸法 = 4.6 x 3.95 x 2.27mm。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 10mA。ピーク逆繰返し電圧 = 7V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 600mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. RFショットキーダイオード、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2mV。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 4.32mm。幅 = 3.56mm。高さ = 2.13mm。寸法 = 2.13 x 4.32 x 3.56mm。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 6.86mm。幅 = 5.84mm。高さ = 2.13mm。寸法 = 2.13 x 6.86 x 5.84mm。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 4.57mm。幅 = 2.92mm。高さ = 2mm。寸法 = 4.57 x 2.92 x 2mm。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.18V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 4.32mm。幅 = 2.6mm。高さ = 2mm。寸法 = 2 x 4.32 x 2.6mm。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。最大ダイオードキャパシタンス = 5pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mA。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-123。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 250V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 625mA。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 300V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 75V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 低漏洩。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 3μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mA。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルPNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。標準抵抗比 = 1mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。標準抵抗比 = 1mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルPNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)。実装タイプ = 表面実装。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。標準抵抗比 = 0.12mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 400 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. シングル抵抗デジタルトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 400 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。標準抵抗比 = なしmm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. シングル抵抗デジタルトランジスタ、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シリーズ。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 7V。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3mV。最大ダイオードキャパシタンス = 1pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.11mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.11mm。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. RF帯スイッチングダイオード、ON Semiconductor. HF、RF、マイクロ波の混合及び検出用途に最適なRF (無線周波数)ダイオードです。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 80 W。最小DC電流ゲイン = 5。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 975mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-41。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 25。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.5 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。最大動作周波数 = 10 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 6.73 x 2.38 x 6.22mm。先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 60ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON Semiconductor