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  • onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -3 A, NZT660 onsemi

    onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -3 A, NZT660

    onsemi
    1,598税込1,758
    1袋(20個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.7mm。小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC143EET1G onsemi

    onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC143EET1G

    onsemi
    16,980税込18,678
    1セット(3000個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SC-75。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.65 x 0.9 x 0.8mm
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5214T1G onsemi

    onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5214T1G

    onsemi
    1袋(100個)
    取扱停止中
    トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ベースエミッタ抵抗器 = 47kΩ
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN2233T1G onsemi

    onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN2233T1G

    onsemi
    369税込406
    1袋(25個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)。実装タイプ = 表面実装。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。標準抵抗比 = 0.12mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -3 A, FZT790A onsemi

    onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -3 A, FZT790A

    onsemi
    959税込1,055
    1袋(10個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 6.5 x 3.5 x 1.6mm。小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, FZT649 onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, FZT649

    onsemi
    1,998税込2,198
    1袋(20個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi ツェナーダイオード 10V 表面実装 300 mW onsemi

    onsemi ツェナーダイオード 10V 表面実装 300 mW

    onsemi
    9,398税込10,338
    1セット(3000個)
    7日以内出荷
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, FZT649 onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, FZT649

    onsemi
    2,098税込2,308
    1袋(20個)
    7日以内出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
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