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onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 3 A， FZT649
onsemi￥1,998税込￥2,1981袋(20個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応onsemi トランジスタ， PNP， 表面実装， -3 A， NZT660
onsemi￥1,598税込￥1,7581袋(20個)7日以内出荷トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.7mm。小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， PNP， 表面実装， -3 A， FZT790A
onsemi￥959税込￥1,0551袋(10個)7日以内出荷トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 6.5 x 3.5 x 1.6mm。小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 低VCE(sat) トランジスタ， NPN， 表面実装， 2 A， NSS1C201MZ4T1G
onsemi￥889税込￥9781袋(10個)7日以内出荷仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 2 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： SOT-223 (SC-73)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 2 W●最小DC電流ゲイン ： 120●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 140 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 7 V●最大動作周波数 ： 1 MHz●ピン数 ： 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ●1 A超●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 3 A， FZT649
onsemi￥2,098税込￥2,3081袋(20個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
