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RoHS10物質対応(3)
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onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 3 A， KSC5027OTU
onsemi￥1,498税込￥1,6481袋(10個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 800 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 1100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.9 x 4.5 x 18.95mm。Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 2 A， KSC5502DTM
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(10個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600最大エミッタ-ベース間電圧(V)12最大コレクタ-ベース間電圧(V)1200トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)2トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン12最大動作周波数(MHz)1最大パワー消費50 W
onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 2 A， KSC5502DTM
onsemi￥1,398税込￥1,5381袋(10個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 12。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 1200 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.39mm。Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
