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onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 50 mA, FJV1845FMTF onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 50 mA, FJV1845FMTFonsemi
2,198税込2,418
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)120最大パワー消費(mW)300最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)120トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)50トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン300最大動作周波数(MHz)110
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 50 mA, FJV1845FMTF onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 50 mA, FJV1845FMTFonsemi
2,198税込2,418
1袋(200個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 110 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 58.1V, SMCJ36A onsemionsemi TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 58.1V, SMCJ36Aonsemi
1,498税込1,648
1袋(20個)
5日以内出荷
過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 58.1V最小ブレークダウン電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 36Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 25.8A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応
onsemi バッファ,ラインドライバ表面実装, 20-Pin, 回路数:8, 74LVT244MTC onsemionsemi バッファ,ラインドライバ表面実装, 20-Pin, 回路数:8, 74LVT244MTConsemi
1,998税込2,198
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様●74LVTファミリ、Fairchild Semiconductor. 低電圧BiCMOSテクノロジロジック 動作電圧: 2.7 → 3.6 互換性: 入力LVTTL/TTL、出力LVTTL●伝播遅延テスト条件:50pF●論理回路:74LVT寸法(mm)6.5×4.4×0.9タイプロジック:バッファ, ラインドライバインターフェースバッファ&ラインドライバIC出力電流(mA)低レベル:(Max)64、高レベル:(Max)-32ピン数(ピン)20極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)3.6最大伝播遅延時間@最大CL4.2ns出力タイプ3ステート
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -50 mA, FJV992FMTF onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -50 mA, FJV992FMTFonsemi
2,598税込2,858
1袋(200個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -120 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi バッファ,ラインドライバ表面実装, 20-Pin, 74ACT244MTC onsemionsemi バッファ,ラインドライバ表面実装, 20-Pin, 74ACT244MTConsemi
11,980税込13,178
1セット(73個)
5日以内出荷
論理回路 = 74ACTロジックタイプ = バッファ, ドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 12.5 ns @ 50 pF寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 4.5 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi バッファ,ラインドライバ表面実装, 14-Pin, 回路数:4, 74LCX125MTC onsemionsemi バッファ,ラインドライバ表面実装, 14-Pin, 回路数:4, 74LCX125MTConsemi
2,398税込2,638
1セット(94個)
5日以内出荷
論理回路 = LCXロジックタイプ = バッファ, ラインドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6.5 ns @ 2.7 V寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi FIN3385MTDX LVDSシリアライザ・ デシリアライザ onsemionsemi FIN3385MTDX LVDSシリアライザ・ デシリアライザonsemi
569,800税込626,780
1セット(1000個)
5日以内出荷
ドライバ数 = 28入力タイプ = LVTTL出力タイプ = LVDSトランスミッションデータレート = 2.38Gbps1チップ当たりのエレメント数 = 4実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 56差動入力高閾値電圧 = 100mV差動入力低閾値電圧 = -100mV寸法 = 14 x 6.1 x 1mm高さ = 1mm長さ = 14mm動作供給電圧 Max = 3.6 V幅 = 6.1mmLVDSトランシーバ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi バッファ,ラインドライバ表面実装, 20-Pin, 74ACT244MTC onsemionsemi バッファ,ラインドライバ表面実装, 20-Pin, 74ACT244MTConsemi
11,980税込13,178
1セット(73個)
5日以内出荷
仕様74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS、伝播遅延テスト条件:50pF、論理回路:74ACT寸法(mm)6.5×4.4×0.9タイプロジック:バッファ、 ドライバ入力種類シングルエンドインターフェースバッファ&ラインドライバICピン数(ピン)20極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)5.5低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)24最大伝播遅延時間@最大CL12.5 ns @ 50 pF出力タイプ3ステート
onsemi バッファ,ラインドライバ表面実装, 14-Pin, 回路数:4, MM74HC125MTCX onsemionsemi バッファ,ラインドライバ表面実装, 14-Pin, 回路数:4, MM74HC125MTCXonsemi
869税込956
1袋(25個)
5日以内出荷
論理回路 = 74HCロジックタイプ = バッファ回路数 = 4入力タイプ = ショットキー出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 163ns寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 150pF74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 58.1V, SMCJ36A onsemionsemi TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 58.1V, SMCJ36Aonsemi
1,498税込1,648
1袋(20個)
5日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 58.1V最小ブレークダウン電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 36Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 25.8A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.25mm過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi, NUF2101MT1G, ESD保護ダイオード onsemionsemi, NUF2101MT1G, ESD保護ダイオードonsemi
1,998税込2,198
1袋(50個)
7日以内出荷
電圧範囲 = 5.25 V許容入力 = 225 mW長さ = 3.1mm奥行き = 1mm寸法 = 3.1 x 1.7 x 1 mmESD保護付きEMIフィルタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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