「sop」の検索結果

論理回路 = LCXロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 1回路数 = 8極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20入力レベル = LVTTL， TTL出力レベル = LVCMOS高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8 ns @ 2.7 V寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

ロジックタイプ = バッファ実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 6パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14論理回路 = LCX動作供給電圧 Max = 5.5 V最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 3.7 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 32mA幅 = 4.5mm

論理回路 = LCX実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20ロジックタイプ = バッファmm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝送 = CMOS伝播遅延テスト条件 = 50pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = CMOSロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 8シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4.4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = LCXロジックタイプ = D タイプ出力タイプ = 3ステートトリガータイプ = 正エッジ極性 = 反転， 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14セット/リセット = Yes1チップ当たりのエレメント数 = 2最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8ns動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 4.4mm74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = LCXロジックタイプ = バッファ， ラインドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6.5 ns @ 2.7 V寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = 74ACTロジックタイプ = バッファ， ドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 12.5 ns @ 50 pF寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 4.5 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ドライバ数 = 28入力タイプ = LVTTL出力タイプ = LVDSトランスミッションデータレート = 2.38Gbps1チップ当たりのエレメント数 = 4実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 56差動入力高閾値電圧 = 100mV差動入力低閾値電圧 = -100mV寸法 = 14 x 6.1 x 1mm高さ = 1mm長さ = 14mm動作供給電圧 Max = 3.6 V幅 = 6.1mmLVDSトランシーバ、Fairchild Semiconductor

パッケージタイプ = TSSOPロジックタイプ = シフトレジスターステージ数 = 8論理回路 = 74HC実装タイプ = 表面実装動作/操作モード = シリアル to パラレルエレメント数 = 1ピン数 = 16動作供給電圧 Min = 2 V動作供給電圧 Max = 6 V寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mmトリガータイプ = 正エッジ74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HCロジックタイプ = バッファ回路数 = 4入力タイプ = ショットキー出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 163ns寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 150pF74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = OR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14論理回路 = ACT入力タイプ = TTL動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 4.5 V低レベル出力電流 Max = 24mA幅 = 4.5mmAC/ACT32 には、 4 つの 2 入力 OR ゲートがあります。ICC は 74AC のみで 50% 削減されました 出力ソース / シンク： 24 mA ACT32 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

論理回路 = AC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20寸法 = 6.6 x 4.5 x 1.05mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 2 → 6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃AC/ACT244 は、メモリアドレスドライバ、クロックドライバ、バス指向トランスミッタ / レシーバとして使用されるように設計されたオクタルバッファ / ラインドライバで、基板密度を改善します。ICC と IOZ は 50% 削減されました 3-STATE はドライブバスラインまたはバッファメモリアドレスレジスタを出力する 出力ソース / シンク： 24 mA ACT244 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14論理回路 = VHCT入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 4.5 V低レベル出力電流 Max = 8mA幅 = 4.4mm74VHCTファミリ、Fairchild Semiconductor

最大スイッチング周波数 = 190 kHz出力電圧 = 7.5 Vコントロール方法 = 電流降下時間 = 120nsパッケージタイプ = SOPnsピン数 = 8寸法 = 5 x 4 x 1.5mmPWM コントローラタイプ = 電流モードmm幅 = 4mm高さ = 1.5mm動作温度 Min = -40 ℃フライバック / フォワードPWMコントローラ、Fairchild Semiconductor

出力電流 = 4 A供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOP出力数 = 1トポロジー = ハイサイドドライバ数 = 1ブリッジタイプ = ハーフブリッジ極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装ハイサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

パッケージタイプ = SOPロジックタイプ = シフトレジスターステージ数 = 8論理回路 = VHC実装タイプ = 表面実装動作/操作モード = シリアル to パラレルエレメント数 = 1ピン数 = 14動作供給電圧 Min = 2 V動作供給電圧 Max = 5.5 V寸法 = 10.2 x 5.3 x 1.8mmリセットタイプ = 非シンクロナス74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA出力電圧 = 5 V精度 = ±2.5%極性 = 正パッケージタイプ = T0-220ピン数 = 3出力タイプ = 固定寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm高さ = 15.75mm幅 = 4.82mm入力 - 出力電圧差<： 0.6 V @ 100 mA 出力電流は 100 mA 超です 低バイアス電流 60 V ロードダンプ保護 -50 V の逆過渡保護 サーマルシャットダウンによる内部電流制限 一時ミラー - イメージ保護 バッテリ駆動機器に最適です 2 つのオプションのリードフォームを備えた経済的な 5 リード TO-220 パッケージ 表面実装 SOP-8 、 D2PAK 、及び DPAK パッケージで提供されます 高精度( +/-2 % )リファレンス( LM2931AC )を用意しています 用途 消費者向けバッテリ駆動製品 ハンドヘルド機器 自動車

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TSOP-6実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 142 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.4 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V

論理回路 = LSTTLロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 4シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 180 ns @ 50 pF寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm幅 = 4.5mm74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HCロジックタイプ = Dフリップフロップ入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = CMOS、LSTTL、NMOS、TTL出力信号タイプ = Dタイプフリップフロップトリガータイプ = 正エッジ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14セット/リセット = セット / リセット1チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 150ns動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4.5mm

論理回路 = VHCTロジックタイプ = 非反転チャンネル数 = 1入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = CMOS極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13ns動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 4.5mm高速： tpd = 3.5 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力： ICC = 2 mA (最大) @ TA = 25 ° C TTL 互換入力： VIL = 0.8 V 、 VIH = 2.0 V CMOS 対応出力： VOH> 0.8VCC 、 VOL< 0.1VCC @ 負荷 入力及び出力でのパワーダウン保護機能を実現

論理回路 = LCX実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOP出力タイプ = 3ステート寸法 = 6.6 x 4.5 x 1.05mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 2 → 3.6 V動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -55 ℃

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 16ロジックタイプ = レベルシフタmm伝播遅延テスト条件 = 50pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 280 ns @ 50 pF動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 3 V自動車規格 = AEC-Q100

論理回路 = VHC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20ロジックタイプ = バッファmm低レベル出力電流 Max = 8mA高レベル出力電流 Max = -8mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 2 → 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃

電源スイッチの種類 = USRTスイッチオン抵抗 = 6.5Ω出力数 = 1実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MSOPピン数 = 10動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 3 x 3 x 0.85mmUSBパワースイッチ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = LCXロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 2回路数 = 16極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20入力レベル = TTL出力レベル = LVCMOS高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8.4 ns @ 30 pF幅 = 4.5mm74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = LCXロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 2シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = CMOS、シングルエンド実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 6高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.2 ns @ 15 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.7mmNL27Wシリーズ、ON Semiconductor. LVTTL互換の入力及び出力を備えているCMOSロジックゲートであり、74LCXデバイスよりも高速で大きな駆動能力を提供します。. 幅広い動作供給電圧: 1.65 → 5.5 V LVCMOS互換 3.0 Vで24 mAのソース / シンク容量

動作供給電圧 Max = 5.5 V出力数 = 2A入力数 = 2実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 6動作温度 Max = +125 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 3 x 1.5 x 1mm配電スイッチ、ON Semiconductor. 固定 / 調整可能、電流制限付き配電スイッチ

論理回路 = LCXロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 8シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = TTL出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 4.5mm74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

動作供給電圧 Max = 5.5 V出力数 = 2A入力数 = 2実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 5動作温度 Max = +125 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 3 x 1.5 x 1mm配電スイッチ、ON Semiconductor. 固定 / 調整可能、電流制限付き配電スイッチ

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOP寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm自動車規格 = AEC-Q100高速スイッチング及び伝播速度 スイッチ間の低クロストーク すべての入力 / 出力でダイオード保護 アナログ電源範囲( VCC - VEE ) = 2.0 → 12.0 V デジタル(制御)電源範囲( VCC - GND ) = 2.0 → 6.0 V 金属ゲートカウンタ部品よりも直線性が向上し、オン抵抗が低減しています 低ノイズ チップの複雑さ： HC4051A-184 FET または 46 相当 Gates HC4052A-168 FET 又は 42 等価 Gates HC4053A-156 FET 又は 39 相当の Gates