「to-15-a」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 15.8 x 5 x 20.1mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 22 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.36mm高さ = 16.07mmPowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-225実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 100最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 3.8 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタカットオフ電流 = 5mA寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V dcパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc最大動作周波数 = 1 kHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 10.53 x 4.83 x 15.75mm15 A 、 80 V PNP バイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。2N6487 、 2N6488 ( NPN )、及び 2N6490 、 2N6491 ( PNP )は、コンプリメンタリデバイスです。DC 電流ゲインは 15 A に指定 --hFE = 20-150 @ IC = 5.0 ADC 、 hFE = 5.0 (最小) @ IC = 15 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 -- VCEO ( sus ) = 60 V dc (最小) - 2N6487 、 2N6490 、 VCEO ( sus ) = 80 V dc (最小) - 2N6488 、 2N6491 高電流ゲイン -- 帯域幅積フィート = 5.0 MHz (最小) @ IC = 1.0 ADC TO-220AB コンパクトパッケージ 鉛フリーパッケージを用意 用途 汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 83 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 20 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vシリーズ UniFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 440 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 38.5 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V長さ 10.16mm高さ 15.87mmUniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 Vパッケージタイプ = TO-225実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 7.74 x 2.66 x 11.04mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、1 A超、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -230 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmMJW3281A バイポーラ相補オーディオパワートランジスタは、高出力オーディオ、ディスクヘッドポジショナ、及びその他のリニア用途向けのパワートランジスタです。100 W のオーディオ周波数用に設計されています ゲイン相補：ゲイン直線性： 100 mA → 7 A HFE = 45 (最小) @ IC = 8 A 低高調波歪み 高安全動作領域 - 1 A / 100 V @ 1 秒 高フィート - 30 MHz (標準