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標準ツェナー電圧 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 1。最大パワー消費 5 W。パッケージタイプ DO-15。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 220mA。最大ツェナーインピーダンス 1Ω。最大逆漏れ電流 1μA。寸法 8.89 3.68 3.68mm。動作温度 Min -65 ℃。ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途. 産業用

出力電流 = 20mA。入力電圧 = 45 V。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = PWM。最大出力パワー = 460mW。用途 = AC照明パネル、車載照明、チャンネル文字、装飾照明、標識照明、スイッチコンタクトウェッティング。パッケージタイプ = SOD-123。ピン数 = 2。出力電圧 Max = 7.5V。先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor リニア LED ドライバ

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = -5 V。ラインレギュレーション = 50 mV。精度 = 4%。極性 = 負。パッケージタイプ = DPAK。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。高さ = 2.38mm。幅 = 6.22mm。負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-201AD。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。高さ = 9.5mm。寸法 = 5.3 (Dia.) x 9.5mm。直径 = 5.3mm。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

標準ツェナー電圧 = 51V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 5 W。パッケージタイプ = DO-15。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 25mA。最大ツェナーインピーダンス = 27Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA。出力電圧 = 1.25 → 29 V。ラインレギュレーション = 0.1 %。ロードレギュレーション = 0.1 %%。極性 = 正。静止電流 = 0.075mA。基準電圧 = 1.25V。出力タイプ = 可変， 固定。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 4mm。低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、調整式、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 20V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 12.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 22Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 8.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 16Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 39V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 5 W。パッケージタイプ = DO-15。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 30mA。最大ツェナーインピーダンス = 14Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。

標準ツェナー電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 30Ω。最大逆漏れ電流 = 100μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 30Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

ダイオード構成 シングル。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 1.1V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

ダイオード構成 シングル。1チップ当たりのエレメント数 1。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。ピン数 2V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7500 V ac。論理出力 = あり。シリーズ = MOC。オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 15mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 5.21 x 2.72 x 2.72mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲： 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格 - DO-41 ( DO-204AL )パッケージ - ダブルスラグタイプ構造

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大連続 順方向電流 = 60A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 980mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 350A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7.5 kVrms。最小電流伝送率 = 20%。シリーズ = H11AA。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 27 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 120000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 76mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 100μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Max = +200 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 14mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 120， 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 49mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 17mA。最大ツェナーインピーダンス = 14Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

最大連続コレクタ電流 = 80 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 366 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。スイッチングスピード = 1MHz。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm。動作温度 Min = -55 ℃。IGBTディスクリート、ON Semiconductor. モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 mW。最小DC電流ゲイン = 110。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm。小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7.2 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 242 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -25 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 120， 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V。最大動作周波数 = 200 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃。小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 38 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 26 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.9mm。高さ = 16.07mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 150 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 80。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = アキシャルリード型。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 158ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 1000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.5mA。寸法 = 15.75 x 10.28 x 4.82mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 400 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.19mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 500 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 830 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.19mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

パッケージタイプ = DIP。実装タイプ = 表面実装。オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor