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onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 62 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
onsemi￥759税込￥8351個7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：62 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：76 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorパッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)260チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)27最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 62 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
onsemi￥339,800税込￥373,7801セット(800個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 62 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 260 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.67mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
