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onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.9 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.9 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi
339税込373
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : P●最大連続ドレイン電流 : 1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 30 V●パッケージタイプ : SOT-23●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 350 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 1.25 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 VRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET20 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi
879税込967
1袋(25個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 350 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.25V最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = +12 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃V
RoHS指令(10物質対応)対応
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