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チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 350 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.25V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V。最大パワー消費 = 400 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = +12 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥799
税込￥879
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： P●最大連続ドレイン電流 ： 1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 350 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 1.25 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥469
税込￥516
7日以内出荷
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