「v1.25」の検索結果

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.25 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 170 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 0.94mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

ダイオード構成 = コモンカソード。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 2.9mm。幅 = 1.3mm。高さ = 0.94mm。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 120V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.25V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 2.9mm。幅 = 1.3mm。高さ = 0.94mm。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-41。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-80。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 1.5mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

ダイオード構成 = コモンカソード。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-123。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 250V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 625mA。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 75V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 低漏洩。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 3μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mA。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。最大ダイオードキャパシタンス = 5pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 120V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 4.6mm。幅 = 3.95mm。高さ = 2.27mm。寸法 = 4.6 x 3.95 x 2.27mm。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

出力電圧 Min = 1.25 V。出力電圧 Max = 40 V。入力電圧 Min = 3 V。入力電圧 Max = 40 V。出力電流 Max = 1.5A。コンバータタイプ = 反転， ステップダウン， ステップアップ。出力数 = 1。実装タイプ = 表面実装。効率 = 73%。スイッチングレギュレータ、ステップアップ / ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor

出力電流 Max = 500mA。出力電圧 = 1.25 V。ラインレギュレーション = 0.04 mV/V。精度 = ±0.9%。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SO。基準電圧 = 1.26V。出力タイプ = 固定。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。NCP3334 は、高性能、低ドロップアウト( LDO )リニア電圧レギュレータです。ラインと負荷に対する +/-0.9 % の精度、超低静止電流とノイズにより、今日の家庭用電化製品に必要なすべての機能を搭載しています。このユニークなデバイスは、最小負荷電流要件なしで安定し、 1.0 μ F の小型コンデンサで安定します。NCP3334 は、逆バイアス保護機能を備えています。ライン及び負荷に対する高い精度(±0.9 % @ 25 ℃) 低ドロップアウト電圧： 340 mV (最大) @ 500 mA 38 μ Vrms の低ノイズ 低シャットダウン電流 (0.07 μ A) 逆バイアス保護 供給電圧範囲： 2.6 → 12 V サーマルシャットダウン保護 電流制限 安定性には 1.0 uF の出力静電容量のみが必要です MLCC を含むあらゆるタイプのコンデンサと安定します 安定性のための最小出力電流要件なし 鉛フリーデバイスです 用途 PCMCIAカード 携帯電話 カムコーダーとカメラ ネットワーキングシステム、DSL / ケーブルモデム ケーブルセットトップボックス MP3 / CDプレーヤー ディスプレイ及びモニタ

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA。出力電圧 = 1.25 → 29 V。ラインレギュレーション = 0.1 %。ロードレギュレーション = 0.1 %%。極性 = 正。静止電流 = 0.075mA。基準電圧 = 1.25V。出力タイプ = 可変， 固定。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 4mm。低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、調整式、ON Semiconductor

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧A。出力電圧 = 1.25 → 18.8 V。ラインレギュレーション = 0.1 %。ロードレギュレーション = 0.4 %%。極性 = 正。パッケージタイプ = SOT-223。基準電圧 = 1.27V。出力タイプ = 可変。寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.69mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 3.7mm。NCP1117 及び NCV1117 シリーズ LDO レギュレータ ON Semiconductor. NCP1117 及び NCV1117 シリーズの LDO ポジティブ固定 / 可変電圧レギュレータは、 1 A を超える出力電流を備えています。SOT-223 パッケージと DPAK パッケージを選択可能ですが、固定と調整可能のさまざまな出力電圧オプションもあります。この固定電圧には、調整を維持するための最小負荷要件はありません。出力電圧オプションも調整可能で、 1.25 → 18.8 V の範囲でプログラムできます 他の 3 端子調整可能レギュレータと比較して、 NCP1117 デバイスは、ドロップアウト電圧を大幅に低減し、出力電圧精度と温度安定性を向上させます。 出力電流は 1A を超えます 固定または可変電圧オプション 1.2V ドロップアウト電圧(最大) @800mA (過熱時 電流制限およびサーマルシャットダウン保護 NCV 部品番号は自動車用途向けです. 用途 消費者および産業機器に関する規制のポイント 2.85 V バージョンのアクティブな SCSI 終端 スイッチング電源ポストレギュレーション ハードドライブコントローラ バッテリ充電器

標準ツェナー電圧 = 1.8V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 2。最大逆漏れ電流 = 7.5μA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃V

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力電圧 = -37 → -1.2 V。ラインレギュレーション = 0.04 %/V。ロードレギュレーション = 1 %。極性 = 負。パッケージタイプ = TO-220。基準電圧 = -1.25V。出力タイプ = 可変。寸法 = 10.28 x 4.82 x 9.28mm。高さ = 9.28mm。長さ = 10.28mm。可変リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 350 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.25V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V。最大パワー消費 = 400 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = +12 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃V

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 1.2 → 37 V。ラインレギュレーション = 0.07 %/V。ロードレギュレーション = 1.5 %/V、70 mV%。極性 = 正。パッケージタイプ = TO-220。基準電圧 = 1.25V。出力タイプ = 可変。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 4.82mm。1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ、 ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは、出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく、オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか、プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると、高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限、熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 210 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 340 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.25mm。順方向ダイオード電圧 = 1.4V。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 1.2 → 37 V。ラインレギュレーション = 0.07 %/V。ロードレギュレーション = 0.5 %%。極性 = 正。パッケージタイプ = SOIC。基準電圧 = 1.3V。出力タイプ = 可変。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 4mm。1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ、 ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは、出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく、オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか、プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると、高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限、熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 1.2 → 37 V。ラインレギュレーション = 0.07 %/V。ロードレギュレーション = 1.5 %%。極性 = 正。パッケージタイプ = DPAK。基準電圧 = 1.3V。出力タイプ = 可変。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 6.22mm。1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ、 ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは、出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく、オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか、プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると、高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限、熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作

標準ツェナー電圧 = 39V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 3.2mA。最大ツェナーインピーダンス = 800Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃V

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧A。出力電圧 = 3.3 V。ラインレギュレーション = 4.5 mV。ロードレギュレーション = 10 mV%。極性 = 正。静止電流 = 10mA。ピン数 = 3+Tab。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.69mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 3.7mm。NCP1117 及び NCV1117 シリーズ LDO レギュレータ ON Semiconductor. NCP1117 及び NCV1117 シリーズの LDO ポジティブ固定 / 可変電圧レギュレータは、 1 A を超える出力電流を備えています。SOT-223 パッケージと DPAK パッケージを選択可能ですが、固定と調整可能のさまざまな出力電圧オプションもあります。この固定電圧には、調整を維持するための最小負荷要件はありません。出力電圧オプションも調整可能で、 1.25 → 18.8 V の範囲でプログラムできます 他の 3 端子調整可能レギュレータと比較して、 NCP1117 デバイスは、ドロップアウト電圧を大幅に低減し、出力電圧精度と温度安定性を向上させます。 出力電流は 1A を超えます 固定または可変電圧オプション 1.2V ドロップアウト電圧(最大) @800mA (過熱時 電流制限およびサーマルシャットダウン保護 NCV 部品番号は自動車用途向けです. 用途 消費者および産業機器に関する規制のポイント 2.85 V バージョンのアクティブな SCSI 終端 スイッチング電源ポストレギュレーション ハードドライブコントローラ バッテリ充電器

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧A。出力電圧 = 5 V。ラインレギュレーション = 6 mV。ロードレギュレーション = 15 mV%。極性 = 正。静止電流 = 10mA。ピン数 = 3+Tab。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.69mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 3.7mm。NCP1117 及び NCV1117 シリーズ LDO レギュレータ ON Semiconductor. NCP1117 及び NCV1117 シリーズの LDO ポジティブ固定 / 可変電圧レギュレータは、 1 A を超える出力電流を備えています。SOT-223 パッケージと DPAK パッケージを選択可能ですが、固定と調整可能のさまざまな出力電圧オプションもあります。この固定電圧には、調整を維持するための最小負荷要件はありません。出力電圧オプションも調整可能で、 1.25 → 18.8 V の範囲でプログラムできます 他の 3 端子調整可能レギュレータと比較して、 NCP1117 デバイスは、ドロップアウト電圧を大幅に低減し、出力電圧精度と温度安定性を向上させます。 出力電流は 1A を超えます 固定または可変電圧オプション 1.2V ドロップアウト電圧(最大) @800mA (過熱時 電流制限およびサーマルシャットダウン保護 NCV 部品番号は自動車用途向けです. 用途 消費者および産業機器に関する規制のポイント 2.85 V バージョンのアクティブな SCSI 終端 スイッチング電源ポストレギュレーション ハードドライブコントローラ バッテリ充電器