「vcc-2」の検索結果

ロジックタイプ = インバータ。出力タイプ = LSTTL。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = なし。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 105 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = LS。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。74HCUファミリ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック(バッファなし) 供給電圧Vcc範囲: 2.0 → 6.0 V シンク又はソース: 4 mA @ Vcc = 4.5 V ESD保護は、JESD22の200 Vマシンモデル(A115-A)、2000 V人体モデル(A114-A)、1000 V帯電デバイスモデルに対応

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm。自動車規格 = AEC-Q100。高速スイッチング及び伝播速度 スイッチ間の低クロストーク すべての入力 / 出力でダイオード保護 アナログ電源範囲( VCC - VEE ) = 2.0 → 12.0 V デジタル(制御)電源範囲( VCC - GND ) = 2.0 → 6.0 V 金属ゲートカウンタ部品よりも直線性が向上し、オン抵抗が低減しています 低ノイズ チップの複雑さ： HC4051A-184 FET または 46 相当 Gates HC4052A-168 FET 又は 42 等価 Gates HC4053A-156 FET 又は 39 相当の Gates

論理回路 = VHCT。ロジックタイプ = 非反転。チャンネル数 = 1。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = CMOS。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13ns。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4.5mm。高速： tpd = 3.5 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力： ICC = 2 mA (最大) @ TA = 25 ° C TTL 互換入力： VIL = 0.8 V 、 VIH = 2.0 V CMOS 対応出力： VOH> 0.8VCC 、 VOL< 0.1VCC @ 負荷 入力及び出力でのパワーダウン保護機能を実現

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。論理回路 = VHC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14.5 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4.5mm。MC74VHC00 は、シリコンゲート CMOS 技術で製造された Advanced High Speed CMOS 2 入力 NAND ゲートです。CMOS の低消費電力を維持しながら、同等のバイポーラショットキー TTL に匹敵する高速動作を実現しています。内部回路は、ノイズ耐性に優れ、出力が安定したバッファ出力をはじめとする 3 段階から構成されています。入力は最大 7 V の電圧に耐え、 5 V システムのインターフェイスを 3 V システムに対応できます。高速： tpd = 3.7 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力： ICC = 2 μ A (最大) @ TA = 25 C 高ノイズ耐性： VNIH = VNIL = 28 % VCC 入力にパワーダウン保護機能を実現 平衡伝搬遅延 2 → 5.5 V の動作範囲に対応する設計です 低ノイズ： VolP = 0.8 V (最大) 他の標準ロジックファミリと互換性があるピン配置及び機能 ラッチアップ性能は 300 mA を超えます ESD 性能： HBM> 2000V 、機械モデル> 200V チップの複雑さ： 32 FET または 8 つの同等の Gates

ロジックタイプ = マルチプレクサ。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 4。パッケージタイプ = SOIC-NB の略。ピン数 = 16。論理回路 = ECL。入力タイプ = シングルエンド。動作供給電圧 Max = -5.7 V ( NECL )、 5.7 V ( PECL。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 710ps。動作供給電圧 Min = -4.2 V ( NECL )、 4.2 V ( PECL )。幅 = 4mm。4 ： 1 マルチプレクサ又は 2 ： 1 マルチプレクサとして便利 シングルエンド動作用 VBB 出力 PECL モード動作範囲： VCC = 4.2 → 5.7 V ( VEE = 0 V NECL モード動作範囲： VCC = 0 V ( VEE = -4.2 → -5.7 V D および SEL の入力プルダウン抵抗内蔵。 鉛フリーパッケージを用意

レギュレータタイプ = バックブーストスイッチングmA。出力電圧 = 50 mV。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。出力タイプ = 固定。最大スイッチング周波数 = 100 kHz。スイッチングレギュレータ = あり。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。幅 = 4mm。低入力オフセット電圧： 0.5 mV (標準 入力コモンモード範囲にはアースが含まれています 低静止電流： VCC = 5V でオペアンプあたり 75 μ A 大出力電圧スイング 広い電源電圧範囲： 3 → 36 V 高 ESD 保護： 2 kV 最終製品 バッテリ充電器 用途 スイッチモード電源

ロジックタイプ = インバータ シュミット トリガー。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = CMOS。1チップ当たりのエレメント数 = 6。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 188 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。低レベル出力電流 Max = 4mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 74HC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。MM74HC14 は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用することで、標準 CMOS の低電力損失と高ノイズ耐性を実現するだけでなく、 10 LS-TTL 負荷を駆動できます。74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的かつピン配列が互換性があります。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加することにより、すべての入力が静電気放電によって損傷から保護されます。標準伝搬遅延： 13 ns 広い電源範囲： 2 → 6 V 低静止電流：最大 20 μ A (74HC シリーズ ) 低入力電流：最大 1 μ A LS-TTL 負荷 10 個のファンアウト 標準ヒステリシス電圧： 0.9 V @ VCC = 4.5 V 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

論理回路 = HC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = Dタイプフリップフロップ。出力信号タイプ = 差動。トリガータイプ = 正エッジ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 225 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。MM74HC74A は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用し、同等の LS-TTL 部品と同様の動作速度を実現します。標準的な CMOS 集積回路で高いノイズ耐性と低電力消費を Ability で、 10 の LS-TTL 負荷を駆動します。このフリップフロップは、独立したデータ、プリセット、クリア、クロック入力、及び Q / Q # 出力を備えています。データ入力に存在するロジックレベルは、クロックパルスの立ち上がり遷移中に出力に転送されます。プリセットとクリアは、クロックに依存せず、適切な入力で低レベルに実現されます。74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的かつピン配列が互換性があります。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加することにより、すべての入力が静電気放電によって損傷から保護されます。標準伝搬遅延： 20 ns 広い電源範囲： 2 → 6 V 低静止電流：最大 40 μ A (74HC シリーズ ) 低入力電流：最大 1 μ A LS-TTL 負荷 10 個のファンアウト 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。