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onsemi 低VCE(sat) トランジスタ， NPN， 表面実装， 2 A， NSS1C201MZ4T1G
onsemi￥889税込￥9781袋(10個)7日以内出荷仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 2 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： SOT-223 (SC-73)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 2 W●最小DC電流ゲイン ： 120●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 140 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 7 V●最大動作周波数 ： 1 MHz●ピン数 ： 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ●1 A超●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 8 A， 2N6043G
onsemi￥5,398税込￥5,9381セット(50個)7日以内出荷仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 60 V dc●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 75 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 60 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V dc●最大動作周波数 ： 1 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 10.53×4.83×15.75mm●8 A 、 100 V NPN ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプと低速度スイッチング用途向けに設計されています。2N60402N6042 ( PNP )、及び 2N60432N6045 ( NPN )はコンプリメンタリデバイスです。高 DC 電流ゲイン - hFE ： 2500 (標準) @ IC ： 4.0 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 - @100 mAdc-VCEO ( sus ) ： 60 V dc (最小) - 2N60402N6043VCEO ( sus ) ： 80 V dc (最小) - 2N60412N6044VCEO ( sus ) ： 100 V dc (最小) - 2N60422N6045 低コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE (飽和) ： 2.0 V dc (最大) @ IC ： 4.0 ADC - 2N6040412N604344 VCE (飽和) ： 2.0 V dc (最大) @ IC ： 3.0 ADC - 2N60422N6045 ベースエミッタシャント抵抗器を内蔵したモノリシック構造 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
