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  • onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, スルーホール, MJH11019G onsemi

    onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, スルーホール, MJH11019G

    onsemi
    15,980税込17,578
    1セット(30個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = PNP。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -200 V。パッケージタイプ = SOT-93。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ、低周波数スイッチング、モータ制御用途として使用するように設計されています。MJH11017 、 MJH11019 、 MJH11021 ( PNP )、 MJH11018 、 MJH11020 、 MJH11022 ( NPN )は、コンプリメンタリデバイスです。高 DC 電流ゲイン @ 10 ADC - hFE = 400 分(すべてのタイプ) コレクタ - エミッタ維持電圧 VCEO ( sus ) = 150 V dc (最小) MJH11018 、 17 VCEO ( sus ) = 200 V dc (最小) - MJH11020 、 19 VCEO ( sus ) = 250 V dc (最小) - MJH11022 、 21 低コレクタ - エミッタ飽和電圧 VCE (飽和) = 1.2 V (標準) @ IC = 5.0 A VCE (飽和) = 1.8 V (標準) @ IC = 10 A モノリシック構造 鉛フリーパッケージを用意
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, スルーホール, BU406G onsemi

    onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, スルーホール, BU406G

    onsemi
    1,798税込1,978
    1袋(10個)
    7日以内出荷
    仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 400 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 60 W●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 6 V●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●このバイポーラトランジスタは、 TV や CRT の水平方向の偏向出力段用の電圧高速トランジスタです。高電圧: VCEV : 330 又は 400 V 高速スイッチング速度: tf : 750 ns (最大) 低飽和電圧: VCE ( sat ) : 1 V (最大) @ 5 A 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
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