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分散型電源対応 系統連系用複合継電器 K2ZC-N
omron(オムロン)￥8,098～税込￥8,908～1個当日出荷から71日以内出荷標高(m)2000以下雷インパルス耐電圧電気回路と外箱間：4500V、電気回路相互間：4500V 1.2/50μs波 正負極性別に各3回
分散型電源対応系統連系用地絡過電圧継電器 K2ZC-K2GV-N□C
omron(オムロン)￥87,980税込￥96,7781個翌々日出荷規格JEC 2500定格電圧(V)3810(6600電路完全地絡電圧)耐電圧1.2/50μs波 正負極性別に各3回定格周波数(Hz)50/60(共用)目的系統地絡事故(ZPD)絶縁抵抗(MΩ)電気回路と外箱間 100MΩ以上、電気回路相互間 100MΩ以上使用周囲温度(℃)-20～60(ただし、結露・氷結しないこと)周波数変動範囲(Hz)定格周波数(50/60Hz)の±5%以内耐衝撃(耐久)加速度 300m/s2 3軸6方向 各3回動作時間整定範囲：0.1～9.9秒(0.1秒ステップ)誤差：整定値±5%(最小誤差±50ms)温度の影響零相電圧：±10%耐振動(誤動作)110Hz 前後/左右5mm 上下2.5mm 加振時間30s加速度 前後/左右 10m/s2 上下 5m/s2216.7Hz 前後/上下/左右 0.4mm 加振時間 600s 加速度 2m/s2標高(m)2000以下接点容量地絡過電圧出力 自動復帰 閉路容量：DC220V 10A、DC110V15A 1000回、通電時間0.5s 開路容量：DC30W(最大電圧110V、最大電流1A)10000回(L/R25ms)AC80VA(最大電圧220V、最大電流1A)10000回(cosΦ=0.1)地絡過電圧出力 手動復帰 開閉容量：AC125V 0.5A、DC30V 2A系統遮断/復電検出出力 開閉容量：AC125V 0.2A、DC30V 2A自己診断出力 開閉容量：AC125V 0.2A DC30V 2A耐電圧(V/min)電気回路と外箱間 2000、電気回路相互間 2000周波数の影響零相電圧：±10%雷インパルス耐電圧電気回路と外箱間 4500V、制御回路相互間 3000V制御電源の影響零相電圧：±5%動作時間：±5%(最小誤差±50ms)動作値整定範囲2-2.5-3-3.5-4-4.5-5-6-7.5-10-12.5-15-20-25-30%-ロック(16タップ)使用周囲湿度(%RH)30～80
パワーリレー G7X
omron(オムロン)￥9,698～税込￥10,668～1個翌々日出荷から62日以内出荷しゃ断能力DC110V、30A、L/R=40msのハイグレードパワーリレー。 DC110V 30A(短時間定格)をしゃ断するメイン接点(2a)。 アンサーバックに適した補助接点内蔵(1a、1b)。 各端子はプリント基板用端子で基板取りつけ方式。 メイン接点端子は、ねじ配線/基板配線の共用タイプ。 高密度設計により、コンパクトでフラットな形状。 絶縁材料は、UL94V-0に合格した難燃材料を使用。用途柱上開閉器ユニット、電源機器、産業用機器装置、FA/OA機器保護構造ケース入り接点最大許容電圧(V)DC250(メイン接点)、AC250/DC250(補助接点)接点最大許容電流(A)DC30A(ON0.5s時/OFF15s時)(メイン接点)、AC1A/DC0.3A(補助接点)使用周囲湿度(%RH)5～85接点定格制御容量(抵抗負荷)110V 5A(メイン接点)、AC220V 1A/DC110V 0.3A(補助接点)G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)￥669,800税込￥736,7801箱(500個)20日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V30V品：連続負荷電流 1.5A(最大)60V品：連続負荷電流 1.0A(最大)100V品：連続負荷電流 0.65A(最大)。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃)G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)￥649,800税込￥714,7801箱(500個)20日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V30V品：連続負荷電流 1.5A(最大)60V品：連続負荷電流 1.0A(最大)100V品：連続負荷電流 0.65A(最大)。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃)G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)￥1,498～税込￥1,648～1個ほか20日以内出荷から80日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)￥1,498～税込￥1,648～1個60日以内出荷から80日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)G3VM-21QR□ / 41QR□□ / 61QR□
omron(オムロン)￥1,598税込￥1,7581個60日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)￥1,498税込￥1,6481個80日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V30V品：連続負荷電流 1.5A(最大)60V品：連続負荷電流 1.0A(最大)100V品：連続負荷電流 0.65A(最大)。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃)G3VM-21QR□ / 41QR□□ / 61QR□
omron(オムロン)￥1,798税込￥1,9781個80日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)￥1,498税込￥1,6481個80日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)
