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「ms2-3/4」の検索結果

アンプ内蔵形TOFレーザセンサ
omron(オムロン)¥89,980~税込¥98,978~1個3日以内出荷広い検出範囲(0.05~6m)と優れた角度特性(最大±85°)で、ワークから離れた位置に設置しても黒などの低反射ワークを安定して検出仕様●IO-Link仕様:Ver.1.1●MTTFd:340年●データ長:PDサイズ/4byte、ODサイズ/2byte(M-sequence type/TYPE_2_V)●投光スポットサイズ:可変(平行光/集光)●最小サイクルタイム:COM3/1.2ms付属品取扱説明書、コンプライアンスシート、インデックスリスト(IO-Linkタイプのみ付属)、FDA証明ラベル・注. 取りつけ金具は別売材質レンズ部・ディスプレイ部:メタクリル樹脂(PMMA)、防汚コート(レンズ部)保護構造IP67(IEC60529)、IP69K(ISO20653)、IP67G(JIS C 0920 付属書1)出力負荷電源電圧DC10~30V(Class2)、負荷電流 出力毎100mA以下(2出力合計200mA以下)残留電圧(負荷電流10mA未満/1V以下、負荷電流10~100mA未満/2V以下)オープンコレクタ出力形(NPN/PNP出力 形式によって異なります)NO/NC切替式適合規格UL/CSA認証、CEマーキング、RCM、UKCA、各種レーザ規格、Ecolab、RoHs2、WEEE2耐電圧AC1000V 50/60Hz 1min検出距離(mm)50~6000材質(ケース)アルミダイカスト(クロムメッキ)電源電圧(V)DC10~30 リップル(p-p)10%含む、Class2機能相互干渉防止:自動設定(マニュアル設定も可能/最大4台まで)応答時間2ms/10ms/50ms/200ms 切替式絶縁抵抗(MΩ)20以上(DC500Vメガにて)材質(カバー)SUS304周囲湿度(%RH)動作時/35~85、保存時/35~95(ただし、結露しないこと)保護回路電源逆接続保護、出力短絡保護、出力逆接続保護耐衝撃(耐久)500m/s2 X、Y、Z各方向 3回使用周囲照度(Lx)白熱灯/太陽光/100,000以下表示灯有機ELディスプレイ(白色)、電源・通信表示(緑色)、動作表示(橙色)、底面表示(緑色、橙色)、ポリエーテルサルフォン(PES)周囲温度(℃)動作時/-30~+55(ただし、氷結、結露しないこと)・保存時/-30~+70(ただし、氷結、結露しないこと)外部入力レーザ投光OFF/ティーチング/ゼロリセット 切替式・NPN ON時/0V短絡または1.5V以下(流出電流/1mA以下)、OFF時/電源電圧短絡または開放 ・PNP ON時/電源電圧短絡または電源電圧-1.5V以内(吸込電流/1mA以下)、OFF時/0V短絡または開放伝送速度COM3/230.4kbps消費電流65mA以下(電源電圧24V時)、155mA以下(電源電圧10V時)/注. 氷点下環境の場合は125mA以下(電源電圧24V時)プロファイルデバイス:スマートセンサプロファイル(SSP4.1.1)・識別と診断(I&D)光源(発光波長)赤色レーザ(660nm)電流出力4~20mA 最大負荷抵抗 500Ω振動(耐久)Hz10~55 複振幅1.5mm X、Y、Z各方向 2h複振幅
SYSMAC CJシリーズ EtherCAT対応 位置制御ユニット
omron(オムロン)¥249,800~税込¥274,780~1個3日以内出荷質量(g)110以下適合規格cULus(ClassⅠDiv2 危険場所認定取得品)、EC指令制御方式EtherCAT通信による制御コマンド発行外形寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)31×65×90消費電流(mA)(内部)DC5V 460mA以下使用周囲温度(℃)0~55制御単位パルス、mm、inch、degree(電子ギア比と単位倍率により、指令単位を各軸で設定可能)速度指令データ:(位置制御)1~2147483647指令単位/s、(速度制御時)-2147483648~2147483647指令単位/sデータ数:500個/タスク通信規格IEC 61158 Type12入出力信号(ドライバI/F用)外部入出力なし(外部I/F信号:6点(外部原点信号、原点近傍信号、正方向限界、負方向限界、即停止、割込み入力)/軸)通信ポートEtherCAT通信ポート×1(ドライバI/F用)ドライバ種類制御対象ドライバ/OMNUC G5シリーズサーボドライバ(EtherCAT通信タイプ)プロファイルCiA402ドライブ/Cyclic synchronous position mode(サイクリック同期位置モード)、Cyclic synchronous velocity mode(サイクリック同期速度モード)、Cyclic synchronous torque mode(サイクリック同期トルクモード)、Touch probe function(ラッチ機能)、Torque limit function(トルク制限機能)位置指令データ:-2147483648~+2147483647指令単位データ数:500個/タスク通信距離(m)ノード間距離 100以内トポロジーディージーチェーンのみ(イーサネット用のハブは使用不可)通信媒体カテゴリ5以上(アルミテープと編組の二重遮へいシールドケーブルを推奨)メールボックス(CoE)エマージェンシーメッセージ、SDOリクエスト、SDOレスポンス、SDOインフォメーション(位置制御ユニットの通信制御と、スレーブ機器のパラメータ転送に使用)加減速時間(ms)データ:0~250000データ数:500個/タスク指令出力最高速度(Mpps)104(パルス単位換算時の速度指令最大値)単位倍率×1、×10、×100、×1000、×10000電子ギア比(ユニットVer.1.1 以前)1/1~1048576/1048576、(ユニットVer.1.3 以降)1/1~4294967295/4294967295物理層100BASE-TX(IEEE802.3)
距離センサ ブロック形 検出範囲 20 mm → 200 mm
omron(オムロン)¥24,980税込¥27,4781個7日以内出荷E3Z-LS距離設定可能センサ。E3Z-LSシリーズの光電センサは、コンパクトなデザインで、内蔵アンプを装備しています。 E3Z-LS距離設定可能センサは、色や背景の影響を受けることなく、微小な段差を検出できます。はっきりとしたLEDスポットを使用したシンプルな位置設定 5回転エンドレスアジャスタによる距離設定 負荷供給電圧: 26.4 V dc (最大) 負荷電流: 100 mA (最大) オープンコレクタ出力 電源の逆極性保護、出力の短絡保護、相互干渉防止 IP67定格仕様●センサーのスタイル:ブロック形●検出タイプ:バックグラウンドサプレッション●検出範囲:20 mm → 200 mm●出力タイプ:PNP●電気的接続:4 線ケーブル: 2 m●最大DC電圧:26.4V●ライトソース:LED●IP保護等級:IP67●電流 Max:100 mA●応答時間:1 ms●シリーズ:E3Z●コード番号:743-1319アズワン品番65-7359-14
G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)¥1,498~税込¥1,648~1個ほか20日以内出荷から80日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)
G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)¥1,498~税込¥1,648~1個60日以内出荷から80日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)
G3VM-21QR□ / 41QR□□ / 61QR□
omron(オムロン)¥1,598税込¥1,7581個60日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)
G3VM-21QR□ / 41QR□□ / 61QR□
omron(オムロン)¥1,798税込¥1,9781個80日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)
G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)¥1,498税込¥1,6481個80日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)









