カテゴリ
- 制御機器(11)
- 測定用品(1)
絞り込み
ブランド
- omron(オムロン)
- BIGM(丸山製作所)(66)
- BOSCH(ボッシュ)(7)
- CKD(19)
- DiodesZetex(5)
- JTC(6)
- KSフィルター(5)
- LITTELFUSE(5)
- MICROCHIP(6)
- ONK(オーエヌ工業)(35)
- STMicro(7)
- TRANSCEND(トランセンド)(9)
- コガネイ(25)
- ホンダ(5)
- マルツエレック(11)
- 川西水道機器(5)
- 工進(9)
- 新日本無線(14)
- 東芝(9)
- ブランドをもっと見る
「v-40s」の検索結果
特価

サージキラー・ユニット 61F-03B/-04B
omron(オムロン)¥8,498~税込¥9,348~1個当日出荷雷から形61F本体を保護。誘導雷障害からの保護を目的とした高容量保安器。高架水槽や山間部など誘導障害を受けやすい条件下で使用。質量(g)約35電圧(V)(放電開始)DC90±20耐衝撃電圧(V)200k 1×40μs耐衝撃電流6000A 1×40μs
RFIDシステム アンプ V680シリーズ
omron(オムロン)¥34,980~税込¥38,478~1個3日以内出荷質量(g)約650(ケーブル長10m時)保護構造IP40(IEC60529規格)/形V680-HS□□S-R/形V680-HS52-R接続時IP67/IP65(IEC60529規格)/形V680-HS□□S-W/形V680-HS52-W接続時材質(ケース)PC樹脂保存温度(℃)-25~+65(氷結なきこと)絶縁抵抗(MΩ)20以上(DC100Vメガにて)ケーブル端子一括とケース間に印加使用周囲温度(℃)-10~+55(氷結なきこと)材質(ケーブル)PVC使用周囲湿度35~85%RH(結露なきこと)耐衝撃(m/s2)500の衝撃をX、Y、Z各方向各3回 計18回加え異常なきこと耐振動10Hz~500Hz、複振幅1.5mm、加速度に100m/s2の可変振動をX、Y、Z各方向に1掃引11分間で10回掃引加え異常なきことサイズ(mm)25×40×65(突起部を除く)耐電圧(V)AC1000(50/60Hz) 1分間ケーブル端子一括とケース間に印加し、漏れ電流5mA以下材質(充填樹脂)エポキシ樹脂
パワーリレー G7X
omron(オムロン)¥9,698~税込¥10,668~1個3日以内出荷から62日以内出荷しゃ断能力DC110V、30A、L/R=40msのハイグレードパワーリレー。 DC110V 30A(短時間定格)をしゃ断するメイン接点(2a)。 アンサーバックに適した補助接点内蔵(1a、1b)。 各端子はプリント基板用端子で基板取りつけ方式。 メイン接点端子は、ねじ配線/基板配線の共用タイプ。 高密度設計により、コンパクトでフラットな形状。 絶縁材料は、UL94V-0に合格した難燃材料を使用。用途柱上開閉器ユニット、電源機器、産業用機器装置、FA/OA機器保護構造ケース入り接点最大許容電圧(V)DC250(メイン接点)、AC250/DC250(補助接点)接点最大許容電流(A)DC30A(ON0.5s時/OFF15s時)(メイン接点)、AC1A/DC0.3A(補助接点)使用周囲湿度(%RH)5~85接点定格制御容量(抵抗負荷)110V 5A(メイン接点)、AC220V 1A/DC110V 0.3A(補助接点)
G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)¥1,498~税込¥1,648~1個ほか32日以内出荷から82日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)形状S-VSON(L)4接点構成1a耐電圧【入出力間】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【入出力間】 (標準)108MΩ (VI-O=500VDC、R.H≦60%)使用周囲温度(℃)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(入力側)】30端子サーフェス・マウント端子保管温度(℃)-40~+125最大逆電圧(V)【LED(入力側)】6接合部温度(℃)【出力側】125、【入力側】125
G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)¥669,800税込¥736,7801箱(500個)32日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V30V品:連続負荷電流 1.5A(最大)60V品:連続負荷電流 1.0A(最大)100V品:連続負荷電流 0.65A(最大)。高温対応(使用周囲温度:-40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V。高温対応(使用周囲温度:-40℃~110℃)形状S-VSON(L)4電流(A)【パルスオン】【出力側(絶対最大定格)】4.5 (t=100ms, Duty=1/10)接点構成1a耐電圧【入出力間(VI-O※絶対最大定格)】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【電気的】【入出力間】108 (VI-O=500VDC、RoH≦60%)使用周囲温度(℃)(絶対最大定格)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(IF)_絶対最大定格_入力側】30端子サーフェス・マウント端子連続負荷電流(mA)【出力側(絶対最大定格)】1500保管温度(℃)-40~+125(氷結・結露のないこと)※絶対最大定格電流低減率(mA/℃)【直流順】【入力側(絶対最大定格)】-0.3 (Ta≧25℃)、【出力側(絶対最大定格)】(オン)-15 (Ta≧25℃)モデルG3VM-61QR2最大逆電圧(V)【LED(入力側)】(絶対最大定格)5最大負荷電圧(V)【出力側(絶対最大定格)】30接合部温度(℃)【出力側(絶対最大定格)】125、【入力側(絶対最大定格)】125
G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)¥649,800税込¥714,7801箱(500個)32日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V30V品:連続負荷電流 1.5A(最大)60V品:連続負荷電流 1.0A(最大)100V品:連続負荷電流 0.65A(最大)。高温対応(使用周囲温度:-40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V。高温対応(使用周囲温度:-40℃~110℃)形状S-VSON(L)4電流(A)【パルスオン】【出力側(絶対最大定格)】4.5 (t=100ms, Duty=1/10)接点構成1a耐電圧【入出力間(VI-O※絶対~定格)】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【電気的】【入出力間】108 (VI-O=500VDC、RoH≦60%)使用周囲温度(℃)(絶対最大定格)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(IF)_絶対~定格_入力側】30端子サーフェス・マウント端子連続負荷電流(mA)【出力側(絶対最大定格)】1500保管温度(℃)-40~+125(氷結・結露のないこと)※絶対~定格電流低減率(mA/℃)【直流順(入力側)】(絶対最大定格)-0.3 (Ta≧25℃)、【出力側(絶対最大定格)】(オン)-15 (Ta≧25℃)モデルG3VM-101QR1最大逆電圧(V)【LED(入力側)】(絶対最大定格)5最大負荷電圧(V)【出力側(絶対最大定格)】30接合部温度(℃)【出力側(絶対最大定格)】125、【入力側】(絶対最大定格)125
G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)¥1,498~税込¥1,648~1個62日以内出荷から82日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)形状S-VSON(L)4接点構成1a耐電圧【入出力間】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【入出力間】 (標準)108MΩ (VI-O=500VDC、R.H≦60%)使用周囲温度(℃)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(入力側)】30端子サーフェス・マウント端子保管温度(℃)-40~+125最大逆電圧(V)【LED(入力側)】6接合部温度(℃)【出力側】125、【入力側】125
G3VM-21QR□ / 41QR□□ / 61QR□
omron(オムロン)¥1,598税込¥1,7581個62日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)形状S-VSON(L)4品番負荷電圧_ 20V, 連続負荷電流_ 450mA (G3VM-21QR1)電流(A)【パルスオン(出力側)】1.35 (t=100ms、Duty=1/10)接点構成1a耐電圧【入出力間】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【入出力間】 (標準)108MΩ (VI-O=500VDC、R.H≦60%)使用周囲温度(℃)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(入力側)】30端子サーフェス・マウント端子連続負荷電流(mA)【ピークAC/DC(出力側)】450保管温度(℃)-40~+125電流低減率(mA/℃)【出力側】(オン)-4.5 (Ta≧25℃)、【直流順(入力側)】-0.235 (Ta≧25℃)最大逆電圧(V)【LED(入力側)】6最大負荷電圧(V)【AC/DC_出力側】20接合部温度(℃)【出力側】125、【入力側】125
G3VM-21QR□ / 41QR□□ / 61QR□
omron(オムロン)¥1,798税込¥1,9781個82日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)形状S-VSON(L)4品番負荷電圧_ 20V, 連続負荷電流_ 450mA (G3VM-21QR1)電流(A)【パルスオン(出力側)】1.35 (t=100ms、Duty=1/10)接点構成1a耐電圧【入出力間】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【入出力間】 (標準)108MΩ (VI-O=500VDC、R.H≦60%)使用周囲温度(℃)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(入力側)】30端子サーフェス・マウント端子連続負荷電流(mA)【最大】450mA、【ピークAC/DC(出力側)】450mA保管温度(℃)-40~+125電流低減率(mA/℃)【出力側】(オン)-4.5 (Ta≧25℃)、【直流順(入力側)】-0.235 (Ta≧25℃)最大逆電圧(V)【LED(入力側)】6最大負荷電圧(V)【AC/DC_出力側】20接合部温度(℃)【出力側】125、【入力側】125
G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)¥1,498税込¥1,6481個82日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃~110℃)形状S-VSON(L)4接点構成1a耐電圧【入出力間】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【入出力間】 (標準)108MΩ (VI-O=500VDC、R.H≦60%)使用周囲温度(℃)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(入力側)】30端子サーフェス・マウント端子保管温度(℃)-40~+125最大逆電圧(V)【LED(入力側)】6接合部温度(℃)【出力側】125、【入力側】125
G3VM-201G□ / S5
omron(オムロン)¥1,498税込¥1,6481個82日以内出荷L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V30V品:連続負荷電流 1.5A(最大)60V品:連続負荷電流 1.0A(最大)100V品:連続負荷電流 0.65A(最大)。高温対応(使用周囲温度:-40℃~110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。1個あたりわずか0.01gの重量で基板の軽量化に貢献。負荷電圧 30V/60V/100V。高温対応(使用周囲温度:-40℃~110℃)形状S-VSON(L)4電流(A)【パルスオン】【出力側(絶対最大定格)】4.5 (t=100ms, Duty=1/10)接点構成1a耐電圧【入出力間(VI-O※絶対~定格)】500Vrms (AC1分間)絶縁抵抗(MΩ)【電気的】【入出力間】108 (VI-O=500VDC、RoH≦60%)使用周囲温度(℃)(絶対最大定格)-40~+110 (氷結・結露のないこと)電流(mA)【LED順(IF)_絶対~定格_入力側】30端子サーフェス・マウント端子連続負荷電流(mA)【出力側(絶対最大定格)】1500保管温度(℃)-40~+125(氷結・結露のないこと)※絶対~定格最大逆電圧(V)【LED(入力側)】(絶対最大定格)5最大負荷電圧(V)【出力側(絶対最大定格)】30









