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  • DRAMノート用 DDR3-1600 シリコンパワー(Silicon Power)

    DRAMノート用 DDR3-1600

    シリコンパワー(Silicon Power)
    6,998税込7,698
    1個ほか
    当日出荷
    仕様●チップ密度:256Mx88Chips/256Mx816Chips/256Mx164Chips/256Mx168Chips/512Mx88Chips/512Mx816Chips電圧1.5V保証期間永久保証ピン数(ピン)204-PIN使用帯域PC312800/10600/8500動作周波数(MHz)1600/1333/1066CASレイテンシーCL11(1600)/CL9(1333)/CL7(1066)
  • デスクトップ用DRAM DDR3L シリコンパワー(Silicon Power)

    デスクトップ用DRAM DDR3L

    シリコンパワー(Silicon Power)(1件のレビュー)
    6,398税込7,038
    1セット
    当日出荷
    デスクトップPC用メモリモジュール。240Pin DDR3L-1600 PC3L-12800に対応。デスクトップPC用低電圧タイプのメモリーです。 低電圧タイプのPCでは、 1.35Vの低電圧動作により、省電力を実現、発熱の低減、システムの安定化、長寿命化に効果的です。
    仕様(CL値)CL11形状(メモリモジュール)240Pin UDIMM non-ECC電圧(V)1.35周波数(MHz)1600
  • DRAMデスクトップ用 DDR3-1600 シリコンパワー(Silicon Power)

    DRAMデスクトップ用 DDR3-1600

    シリコンパワー(Silicon Power)
    4,898税込5,388
    1個
    当日出荷
    仕様●チップ密度:256Mx88Chips/256Mx816Chips/256Mx164Chips/256Mx168Chips/512Mx88Chips/512Mx816Chips電圧1.5V保証期間永久保証ピン数(ピン)240-PIN使用帯域PC312800/10600/8500動作周波数(MHz)1600/1333/1066CASレイテンシーCL11(1600)/CL9(1333)/CL7(1066)
  • DRAMデスクトップ用 DDR4-3200 2枚組 シリコンパワー(Silicon Power)

    DRAMデスクトップ用 DDR4-3200 2枚組

    シリコンパワー(Silicon Power)
    99,980税込109,978
    1個
    欠品中
    システムの高速化とスムーズな動作をサポートするように設計されたDDR4 UDIMMシリーズは、業界最速の3200MT/sのメモリ速度を提供します。さらに、DDR4テクノロジーは、前身のDDR3の最大2倍の速度を実現し、より多くの帯域幅とエネルギー効率を実現しています。簡単なアップグレードにより、アプリケーションのロード時間を短縮し、応答性を向上させ、データ量の多いプログラムを簡単に処理することができます。メモリを増やすことは、遅いコンピュータの簡単な治療法ですが、エネルギー消費量を増加させ、システムハードウェアへの全体的な負担を増加させることにもなります。このDDR4 UDIMMシリーズは、パフォーマンスのアップグレードに加えて、より低い1.2V電圧でよりスマートなエネルギー消費を実現しています。これにより、以前のDDR3 1.5Vモジュールと比較して電力使用量を削減しています。さらに、放熱性が高いため、コンピュータを低温で動作させて安定性を高め、システム ハードウェアの寿命を延ばすことができます。このDDR4 UDIMMシリーズは、幅広いデスクトップPCと互換性があります。このメモリモジュールの適応性により、不安定で互換性のないメモリモジュールに付き物のランダムな再起動やブルースクリーンを回避することができます。このDDR4 UDIMMシリーズは、100%工場でテストされており、優れたレベルの安定性、耐久性、信頼性を保証します。これだけでは十分に安心できない場合は、シリコンパワー社の技術サポートとサービスをお約束する生涯保証が付いています。
    仕様Frequency (Speed):2133MHz、2400MHz、2666MHz、3200MHz ※実際の速度は、システムのプラットフォームや構成によって異なる場合があります、CAS Latency:CL15(2133)、CL17(2400)、CL19(2666)、CL22(3200)規格DDR4保証期間無期限各種認証CE、FCC、Green dot、WEEE、RoHSメモリーインターフェイスUDIMM動作電圧(V)1.2
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