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TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK
￥149税込￥164
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 1.9GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 2.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 100 nH， 2.85A，シールド， 3.2 x 2.5 x 2.2mm
TDK
￥489税込￥538
1袋(20個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 nH最大直流電流 = 2.85A長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.2mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.2mmシールド = Y最大直流抵抗 = 20mΩシリーズ = NLCV-EFRコア材料 = フェライト最大自己共振周波数 = 25.2MHz最小品質ファクター = 10TDK 1210 NLVC32シリーズ巻線型インダクタ. 電源ライン用のSMTインダクタ耐熱性の熱可塑樹脂製外装パッケージ用途: オーディオビジュアル機器、デジタルカメラ、オンボード車載機器などRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 50mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm
TDK
￥41税込￥45
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 900MHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 4.5Ω寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG0603Sシリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 33 nH， 100mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm
TDK
￥68税込￥75
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様インダクタンス = 33 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK0603シリーズRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 600mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm
TDK
￥99税込￥109
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 14.4GHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG0603Sシリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK
￥149税込￥164
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最大自己共振周波数 = 9.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK
￥119税込￥131
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1.2 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm
TDK
￥229税込￥252
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様インダクタンス = 1.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 20GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm
TDK
￥60税込￥66
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 19.6GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応