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TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 μH， 80mA， 2 x 1.25 x 0.85mmTDK

￥229税込￥252

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仕様インダクタンス = 1.5 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 80mA最小品質ファクター = 45パッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 400mΩコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mm奥行き = 1.25mm高さ = 0.85mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタTDK

￥1,298～税込￥1,428～

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ATB2012-75011-T TDK バラントランス 2 x 1.2 x 1.2mm 1.2GHzTDK

￥349税込￥384

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仕様アンバランスインピーダンス = 75Ωバランスインピーダンス = 75Ω最大挿入損失 = 1.2dB取付タイプ = 表面実装ピンカウント = 4寸法 = 2 x 1.2 x 1.2mm高さ = 1.2mm長さ = 2mm幅 = 1.2mm最大周波数 = 1.2GHz最小周波数 = 50MHz最大動作温度 = +85℃最低動作温度 = -40℃TDKバラントランスSMD、ATBシリーズ. チップバラントランスATB3225シリーズは、低挿入損失と優れたバランスパラメータが特長です。従来のバランより小さい筐体サイズ周波数帯域幅は、ATB3225-75011CTが5 → 200 MHz、ATB3225-75032CTが5 → 100 MHz、ATB3225-75034CTが1 → 100 MHz RoHS指令対応ケーブルモデム用. ATB2012シリーズはインピーダンスシステム用に開発、インピーダンス比1:1 ATB2012-50011及びATB2012E-50011Mは50 Ωインピーダンス用、ATB2012-75011及びATB2012E-75011Mは75 Ωインピーダンス用周波数帯域幅は、ATB2012-50011が40 MHz → 860 MHz (標準IL = 1.0 dB)、ATB2012E-50011Mが400 MHz → 1.8 GHz (標準IL =1.0 dB)、ATB2012-75011が50 MHz → 1.2 GHz (標準IL = 0.8 dB)、ATB2012E-75011Mが400 MHz → 1.8 GHz (標準IL = 1.0 dB) 用途: テレビや携帯端末のチューナー(DVB-T/H、ISDB-Tなど)、STB / チューナーの出力分割器RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 680 nH， 150mA， 2 x 1.25 x 1.25mmTDK

￥139税込￥153

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仕様シリーズ = MLFインダクタンス = 680 nH許容差 = ±10%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 190MHzパッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 600mΩコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 1.25mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.25mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 1 μH， 80mA， 2 x 1.25 x 0.85mmTDK

￥1,298税込￥1,428

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7日以内出荷

仕様シリーズ = MLF2012インダクタンス = 1 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 80mA最大自己共振周波数 = 160MHzパッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 300mΩコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mm奥行き = 1.25mm高さ = 0.85mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃TDK 0805 MLF2012シリーズ磁気遮蔽インダクタ. モノリシック構造の高密度実装に最適なSMDインダクタ高い周波数での高い品質と安定性多層構造、磁気シールド用途: 携帯電話、コンピュータなどの信号ラインRoHS指令(10物質対応)対応

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