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TDK 積層表面実装インダクタ, 18 nH, 250mA, 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 18 nH, 250mA, 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
58税込64
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 18 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 600mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ, 5.6 nH, 600mA, 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 5.6 nH, 600mA, 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
129税込142
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 5.6 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ, 5.1 nH, 600mA, 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 5.1 nH, 600mA, 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
119税込131
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 5.1 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ, 6.2 nH, 600mA, 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 6.2 nH, 600mA, 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
129税込142
1袋(10個)
3日以内出荷
仕様インダクタンス = 6.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
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