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RoHS10物質対応(12)
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TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 10nF 100V dc 0402 (1005M) CGA2B3X7S2A103K050BB
TDK￥879税込￥9671袋(100個)翌々日出荷TDKCGA車載用0402シリーズ、X6S/X7S/X7T誘電体.TDKのCGAシリーズの業務用積層セラミックチップコンデンサ製品です。最適な用途には、車載用エンジン制御ユニット、センサモジュール、電源平滑化などがあります。.特長と利点:.CGAシリーズは、薄膜セラミック誘電体の積層構造になっており、精密技術を利用して高静電容量値を実現モノリシック構造により、優れた機械強度と信頼性を確保低ESL及び優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗AEC-Q200準拠.用途:.車載用エンジン制御ユニット、車載用センサモジュール、車載用バッテリラインの平滑化、高い信頼性を必要とする用途、スイッチング電源の平滑化寸法(mm)1×0.5×0.55電圧100Vdc高さ(mm)0.55奥行(mm)0.5シリーズCGA2許容差±10%静電容量10nF温度特性X7SRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装パッケージ/ケース0402(1005M)
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 2.2nF 100V dc 0402 (1005M) CGA2B3X7S2A222K050BB
TDK￥1,698税込￥1,8681袋(200個)7日以内出荷TDKCGA車載用0402シリーズ、X6S/X7S/X7T誘電体.TDKのCGAシリーズの業務用積層セラミックチップコンデンサ製品です。最適な用途には、車載用エンジン制御ユニット、センサモジュール、電源平滑化などがあります。.特長と利点:.CGAシリーズは、薄膜セラミック誘電体の積層構造になっており、精密技術を利用して高静電容量値を実現モノリシック構造により、優れた機械強度と信頼性を確保低ESL及び優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗AEC-Q200準拠.用途:.車載用エンジン制御ユニット、車載用センサモジュール、車載用バッテリラインの平滑化、高い信頼性を必要とする用途、スイッチング電源の平滑化長さ(mm)1寸法(mm)1×0.5×0.5電圧100Vdc高さ(mm)0.5奥行(mm)0.5シリーズCGA許容差±10%静電容量2.2nF温度特性X7SRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装パッケージ/ケース0402(1005M)
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 100V dc，0.01μF ±10%
TDK￥769税込￥8461袋(100個)翌々日出荷仕様静電容量 = 10nF電圧 = 100V dcパッケージ/ケース = 0402 (1005M)取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = X7S許容差 = ±10%寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm長さ = 1mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mmシリーズ = C1005許容差(マイナス) = -10%許容差(プラス) = +10%コンデンサファミリ = 積層TDK Cタイプ0402シリーズ. TDKの業務用Cシリーズの業務用積層セラミックチップコンデンサ製品です。低ESR特性と優れた周波数特性により、高周波 / 高密度タイプの電源に適しています。. 特長と利点:. 精密技術を採用した高容量により、多層の薄いセラミック誘電体の使用を実現 モノリシック構造により、優れた機械強度と信頼性を確保 低ESL及び優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能 低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗. 用途:. 商用グレードの一般的な用途: 汎用電子機器、モバイル通信機器、電源回路、OA機器、TV、LEDディスプレイ、サーバ、PC、ノートPC、タブレットRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 酸化金属バリスタ， 8V， 25A
TDK￥4,198税込￥4,6181袋(10個)翌々日出荷仕様バリスタ電圧 = 8V最大直流定格電圧 = 5.5V制限電圧 = 14Vクランプ電流 = 1Aエネルギー = 0.04J最大サージ電流 = 25A静電容量 = 480pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mmパッケージ/ケース = 0402 (1005M)バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥149税込￥1641袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最大自己共振周波数 = 9.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥119税込￥1311袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
