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RoHS10物質対応(7)
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TDK 積層表面実装インダクタ， 82 μH， 2mA， 2 x 1.25 x 1.25mmTDK￥149税込￥164
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 82 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 2mA最大自己共振周波数 = 14MHzパッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 3Ωコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 1.25mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.25mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃シールド = ありチップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 μH， 80mA， 2 x 1.25 x 0.85mmTDK￥229税込￥252
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 1.5 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 80mA最小品質ファクター = 45パッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 400mΩコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mm奥行き = 1.25mm高さ = 0.85mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 μH， 30mA， 2 x 1.25 x 1.25mmTDK￥179税込￥197
1袋(10個)
3日以内出荷
仕様インダクタンス = 3.9 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 30mA最大自己共振周波数 = 80MHzパッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 650mΩコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 1.25mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.25mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃シールド = ありチップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 680 nH， 150mA， 2 x 1.25 x 1.25mmTDK￥139税込￥153
1リール(10個)
7日以内出荷
仕様シリーズ = MLFインダクタンス = 680 nH許容差 = ±10%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 190MHzパッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 600mΩコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 1.25mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.25mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1 μH， 80mA， 2 x 1.25 x 0.85mmTDK￥1,298税込￥1,428
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様シリーズ = MLF2012インダクタンス = 1 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 80mA最大自己共振周波数 = 160MHzパッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 300mΩコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mm奥行き = 1.25mm高さ = 0.85mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃TDK 0805 MLF2012シリーズ磁気遮蔽インダクタ. モノリシック構造の高密度実装に最適なSMDインダクタ 高い周波数での高い品質と安定性 多層構造、磁気シールド 用途: 携帯電話、コンピュータなどの信号ラインRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層チップインダクタ， 0.12 μH， 300mA， 2 x 1.25 x 0.85mm， MLF2012DR12KT000TDK￥1,498税込￥1,648
1袋(100個)
5日以内出荷
TDK0805MLF2012シリーズ磁気遮蔽インダクタ.モノリシック構造の高密度実装に最適なSMDインダクタ高い周波数での高い品質と安定性多層構造、磁気シールド用途:携帯電話、コンピュータなどの信号ライン
長さ(mm)2寸法(mm)2×1.25×0.85高さ(mm)0.85奥行(mm)1.25シリーズMLF2012許容差±10%RoHS指令(10物質対応)対応材質(コア)フェライト最大自己共振周波数450MHzインダクタ構造多層パッケージ/ケース2012インダクタンス(μH)0.12最大直流電流(mA)300最大直流抵抗(mΩ)200
