カテゴリ
- 制御機器(45)
絞り込み
ブランド
- TDK
- BIGM(丸山製作所)(47)
- MURATA(村田製作所)(29)
- 岡崎精工(28)
- brembo(8)
- OSG(オーエスジー)(6)
- omron(オムロン)(6)
- ケナメタル(6)
- ノーブランド(6)
- TRACO POWER(6)
- WURTH ELEKTRONIK(6)
- 太陽誘電(5)
- 岩田製作所(4)
- 三ツ星ベルト(4)
- UNION(ユニオン産業)(4)
- ビックス(4)
- KSフィルター(4)
- EPCOS(4)
- Ko-ken(コーケン/山下工業研究所)(3)
- ブランドをもっと見る
エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(45)
「m1005」の検索結果
特価
の全商品がキャンペーンコード入力で通常価格より
TDK 酸化金属バリスタ， 8V， 25A
TDK￥1,998税込￥2,1981袋(10個)当日出荷仕様バリスタ電圧 = 8V最大直流定格電圧 = 5.5V制限電圧 = 14Vクランプ電流 = 1Aエネルギー = 0.04J最大サージ電流 = 25A静電容量 = 650pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mmパッケージ/ケース = 0402バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応TDK 酸化金属バリスタ， 8V， 1A
TDK￥289税込￥3181袋(10個)翌々日出荷仕様バリスタ電圧 = 8V最大直流定格電圧 = 5.5V制限電圧 = 19Vクランプ電流 = 1Aエネルギー = 0.01J最大サージ電流 = 1A静電容量 = 33pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mmパッケージ/ケース = 0402バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応TDK 酸化金属バリスタ， 8V， 25A
TDK￥4,198税込￥4,6181袋(10個)翌々日出荷仕様バリスタ電圧 = 8V最大直流定格電圧 = 5.5V制限電圧 = 14Vクランプ電流 = 1Aエネルギー = 0.04J最大サージ電流 = 25A静電容量 = 480pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mmパッケージ/ケース = 0402 (1005M)バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応TDK 酸化金属バリスタ， 12V， 10A
TDK￥169税込￥1861袋(10個)7日以内出荷仕様バリスタ電圧 = 12V最大直流定格電圧 = 7.5V制限電圧 = 20Vクランプ電流 = 1Aエネルギー = 0.05J最大サージ電流 = 10A静電容量 = 130pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mmパッケージ/ケース = 0402バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応TDK 酸化金属バリスタ， 39V
TDK￥929税込￥1,0221袋(10個)翌々日出荷仕様バリスタ電圧 = 39V最大直流定格電圧 = 10V静電容量 = 1.1pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mm厚さ = 0.5mm寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mmパッケージ/ケース = 0402 (1005M)バリスタ、AVRLシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥189税込￥2081袋(10個)翌々日出荷仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 4.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 500mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 10 nH， 500mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥28税込￥311袋(10個)翌々日出荷仕様インダクタンス = 10 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 500mA最大自己共振周波数 = 3.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 100V dc，0.01μF ±10%
TDK￥769税込￥8461袋(100個)翌々日出荷仕様静電容量 = 10nF電圧 = 100V dcパッケージ/ケース = 0402 (1005M)取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = X7S許容差 = ±10%寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm長さ = 1mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mmシリーズ = C1005許容差(マイナス) = -10%許容差(プラス) = +10%コンデンサファミリ = 積層TDK Cタイプ0402シリーズ. TDKの業務用Cシリーズの業務用積層セラミックチップコンデンサ製品です。低ESR特性と優れた周波数特性により、高周波 / 高密度タイプの電源に適しています。. 特長と利点:. 精密技術を採用した高容量により、多層の薄いセラミック誘電体の使用を実現 モノリシック構造により、優れた機械強度と信頼性を確保 低ESL及び優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能 低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗. 用途:. 商用グレードの一般的な用途: 汎用電子機器、モバイル通信機器、電源回路、OA機器、TV、LEDディスプレイ、サーバ、PC、ノートPC、タブレットRoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥149税込￥1641袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最大自己共振周波数 = 9.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 6.8 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥73税込￥801袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 6.8 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 5.6 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥129税込￥1421袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 5.6 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 8.2 nH， 350mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥73税込￥801袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 8.2 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 350mA最大自己共振周波数 = 6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 380mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 27 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥96税込￥1061袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 27 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 800mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥109税込￥1201袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.6Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 56 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥67税込￥741袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 56 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.3Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥57税込￥631袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥67税込￥741袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 150 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 700MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 3.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 6.2 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥129税込￥1421袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 6.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 47 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥149税込￥1641袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 47 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 39 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥88税込￥971袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 39 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 2.7 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥119税込￥1311袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 2.7 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 7.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 16V dc，0.068μF ±10%
TDK￥149税込￥1641袋(100個)7日以内出荷仕様静電容量 = 68nF電圧 = 16V dcパッケージ/ケース = 0402 (1005M)取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = X7R許容差 = ±10%寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm長さ = 1mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mmシリーズ = C許容差(マイナス) = -10%許容差(プラス) = +10%温度係数 = ±15%EIA規格. セラミックコンデンサ、Cシリーズ(1005サイズ)、EIA規格. 低浮遊容量により、理論値に近い回路設計が可能 残留インダクタンスがほとんどなく、周波数特性が良好RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 3 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥81税込￥891袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 3 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 6.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥96税込￥1061袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 2 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 900mA最大自己共振周波数 = 9.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥119税込￥1311袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥84税込￥921袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 550mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥149税込￥1641袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 22 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 700mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 390 nH， 50mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥129税込￥1421袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 390 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 400MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 nH， 700mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥81税込￥891袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 3.9 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 700mA最大自己共振周波数 = 6.5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥149税込￥1641袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 1.9GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 2.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 68 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥58税込￥641袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 68 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 5.1 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥119税込￥1311袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 5.1 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応TDK 積層表面実装インダクタ， 2.2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
TDK￥119税込￥1311袋(10個)7日以内出荷仕様インダクタンス = 2.2 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 900mA最大自己共振周波数 = 8.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
