カテゴリ
- 制御機器(144)
絞り込み
ブランド
- TDK
- モノタロウ(2)
- オカムラ(岡村製作所)(547)
- BOURNS(278)
- トヨタ(184)
- WURTH ELEKTRONIK(184)
- RS PRO(161)
- Panasonic(パナソニック)(160)
- TAKUBO(タクボ/田窪工業所)(132)
- MURATA(村田製作所)(125)
- カクダイ(123)
- ミツビシ(115)
- エスロン(110)
- INAX(LIXIL)(101)
- オーティス(98)
- EPCOS(89)
- 山金工業(88)
- 利休信楽(67)
- VISHAY(66)
- ストア・エキスプレス(56)
- ブランドをもっと見る
エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(111)
「menda」の検索結果
TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥109税込￥120
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.6Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 10 nH， 500mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥28税込￥31
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 10 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 500mA最大自己共振周波数 = 3.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 4.7 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥52税込￥57
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 4.7 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 280mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 100 μH， 40mA， 3.2 x 2.5 x 2.2mmTDK￥599税込￥659
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 μH最大直流電流 = 40mAパッケージ/ケース = 1210長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.2mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.2mm許容差 = ±5%最大直流抵抗 = 10Ωシリーズ = NLV-PF最大自己共振周波数 = 10MHz最小品質ファクター = 20TDK 1210 NLVシリーズ巻線型インダクタ. 幅広い信号ライン用途に最適なSMD巻線型インダクタ 高Q値による、シャープな周波数応答 耐熱性の高い熱可塑樹脂製外装パッケージ 動作温度範囲 -40℃ → +105℃ 用途: TV、VCR、デジタルカメラ、xDSL、カーオーディオ、ECUシステム、HDDなどRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 100 nH， 2.85A， シールド， 3.2 x 2.5 x 2.2mmTDK￥419税込￥461
1袋(20個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 nH最大直流電流 = 2.85A長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.2mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.2mmシールド = Y最大直流抵抗 = 20mΩシリーズ = NLCV-EFRコア材料 = フェライト最大自己共振周波数 = 25.2MHz最小品質ファクター = 10TDK 1210 NLVC32シリーズ巻線型インダクタ. 電源ライン用のSMTインダクタ 耐熱性の熱可塑樹脂製外装パッケージ 用途: オーディオビジュアル機器、デジタルカメラ、オンボード車載機器などRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 47 μH， 2.2A， シールド， 10 x 9.7 x 4.5mmTDK￥1,298税込￥1,428
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 47 μH最大直流電流 = 2.2A長さ = 10mm奥行き = 9.7mm高さ = 4.5mm寸法 = 10 x 9.7 x 4.5mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 112mΩインダクタ構造 = 巻線型インダクタ、VLF10045シリーズ. 小型、低プロファイル設計 携帯電話DC-DCコンバータチョークコイルに最適RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 400mA， 2 x 1.2 x 1.3mm， ACM2012-900-2PTDK￥799税込￥879
1袋(5個)
翌々日出荷
TDKACMシリーズSMDコモンモードチョーク.小型化SMD巻線型チップコモンモードフィルタコモンモードインピーダンス：>：1000Ω@100MHz差動インピーダンスが低いため、高速信号に対してほとんど影響を与えません2ラインタイプと3ラインタイプを用意
用途主な用途には、放射とコモンモードノイズの抑制、USB/IEEE1394コンピュータライン、LVDSパネルリンクラインなどがあります長さ(mm)2寸法(mm)2×1.2×1.3高さ(mm)1.3奥行(mm)1.2動作温度(℃)(Min)-25RoHS指令(10物質対応)対応材質(コア)フェライト動作温度範囲(℃)-40to+85パッケージ/ケース2012最大直流電流(mA)400最大直流抵抗(mΩ)190
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 220 μH， 1.2ATDK￥1,298税込￥1,428
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 220 μH最大直流電流 = 1.2A許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 273mΩシリーズ = SLF最小動作温度 = -20℃SLF12565シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. EMC低減用の低プロファイルSMT磁気シールド電力ラインインダクタ 用途: 携帯電話、PC、ハードディスクドライブ、その他の電子機器RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥119税込￥131
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥149税込￥164
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 22 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 700mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 18 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥58税込￥64
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 18 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 600mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥179税込￥197
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 4.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 500mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 390 nH， 50mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥129税込￥142
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 390 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 400MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥57税込￥63
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 47 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥149税込￥164
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 47 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 39 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥88税込￥97
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 39 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 56 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥67税込￥74
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 56 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.3Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 3 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥81税込￥89
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 3 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 6.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 600mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mmTDK￥28税込￥31
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 14.4GHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG0603Sシリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 nH， 700mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥81税込￥89
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 3.9 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 700mA最大自己共振周波数 = 6.5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥67税込￥74
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 150 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 700MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 3.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 2.7 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥119税込￥131
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 2.7 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 7.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 6.8 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥73税込￥80
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 6.8 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 5.6 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥129税込￥142
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 5.6 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 50mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mmTDK￥41税込￥45
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 900MHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 4.5Ω寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG0603Sシリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 33 nH， 100mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mmTDK￥68税込￥75
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 33 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK0603シリーズRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥149税込￥164
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 1.9GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 2.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 5.1 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥119税込￥131
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 5.1 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 2.2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥119税込￥131
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 2.2 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 900mA最大自己共振周波数 = 8.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 120 nH， 200mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK￥139税込￥153
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 120 nH許容差 = ±10%最大直流電流 = 200mA最大自己共振周波数 = 550MHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 400mΩコア材料 = フェライト寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF1608シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1.2 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK￥229税込￥252
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 1.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 20GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK￥60税込￥66
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 19.6GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 82 μH， 2mA， 2 x 1.25 x 1.25mmTDK￥149税込￥164
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 82 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 2mA最大自己共振周波数 = 14MHzパッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 3Ωコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 1.25mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.25mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃シールド = ありチップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 15 μH， 2mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK￥119税込￥131
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 15 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 2mA最小品質ファクター = 20パッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 1.5Ωコア材料 = フェライト寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +85℃シールド = ありチップインダクタ、MLF1608シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 μH， 80mA， 2 x 1.25 x 0.85mmTDK￥229税込￥252
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 1.5 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 80mA最小品質ファクター = 45パッケージ/ケース = 0805 (2012M)最大直流抵抗 = 400mΩコア材料 = フェライト寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mm奥行き = 1.25mm高さ = 0.85mm長さ = 2mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF2012シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 μH， 30mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK￥189税込￥208
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 3.9 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 30mA最大自己共振周波数 = 90MHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 1.45Ωコア材料 = フェライト寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF1608シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装)， 47 μH， 540mA， シールド， 7 x 7 x 2.8mmTDK￥1,198税込￥1,318
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 47 μH最大直流電流 = 540mA長さ = 7mm奥行き = 7mm高さ = 2.8mm寸法 = 7 x 7 x 2.8mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 340mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF7028シリーズ. 電源SMDインダクタ(コイル) 電源コンポーネントに最適な低Rdc、高電流、低エネルギー消費 高密度設計に適した磁気シールドタイプRoHS指令(10物質対応)対応
