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TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),0.1μF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),0.1μFTDK
259税込285
1袋(10個)ほか
当日出荷から7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 1μF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 1μFTDK
419税込461
1袋(10個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),0.47μF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),0.47μFTDK
1,198税込1,318
1袋(25個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK コモンモードノイズフィルタ TDKTDK コモンモードノイズフィルタTDK
569税込626
1袋(5個)
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 4.7μF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 4.7μFTDK
689税込758
1個ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 10μF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 10μFTDK
759税込835
1袋(2個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 22pF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 22pFTDK
4,598税込5,058
1セット(500個)ほか
7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),0.22μF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),0.22μFTDK
999税込1,099
1袋(25個)
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 酸化金属バリスタ, 39V, 100A TDKTDK 酸化金属バリスタ, 39V, 100ATDK
499税込549
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様バリスタ電圧 = 39V最大直流定格電圧 = 28V制限電圧 = 62Vクランプ電流 = 5Aエネルギー = 0.3J最大サージ電流 = 100A静電容量 = 430pF長さ = 2mm奥行き = 1.25mmパッケージ/ケース = 0805バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),0.01μF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),0.01μFTDK
569税込626
1袋(20個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 積層表面実装インダクタ, 1.5 nH, 1A, 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 1.5 nH, 1A, 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
149税込164
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最大自己共振周波数 = 9.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 2.2μF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 2.2μFTDK
519税込571
1袋(5個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),0.047μF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),0.047μFTDK
629税込692
1袋(10個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 22μF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 22μFTDK
899税込989
1個
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 3極コンデンサ TDKTDK 3極コンデンサTDK
219税込241
1袋(20個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
サーミスタ TDK NTC, 10kΩ TDKサーミスタ TDK NTC, 10kΩTDK
999税込1,099
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様シリーズ = NTCG温度係数のタイプ = NTC抵抗@ 25℃ = 10kΩ許容差 = ±1%アプリケーション = 温度補償, 温度センサパッケージ/ケース = 1005最大定格電力 = 100mW長さ = 1mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm動作温度 Min = -40℃RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装), 100 μH TDKTDK 巻線インダクタ (面実装), 100 μHTDK
1,298税込1,428
1袋(10個)ほか
7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),2200pF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),2200pFTDK
2,898税込3,188
1セット(500個)ほか
7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 7pF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 7pFTDK
3,698税込4,068
1セット(500個)ほか
7日以内出荷
TDK 積層表面実装インダクタ, 1 nH, 1A, 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 1 nH, 1A, 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
119税込131
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 100V dc,1000pF ±10% TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 100V dc,1000pF ±10%TDK
109税込120
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 1nF電圧 = 100V dcパッケージ/ケース = 0603取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = JB許容差 = ±10%寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm許容差(マイナス) = -10%許容差(プラス) = +10%温度係数 = ±10%高耐電圧、Cシリーズ(許容差: 10 %). 高電圧での使用を想定して設計された専用構造。小型サイズ、高耐電圧 定格電圧(Edc): 100、250、630 V C3225及びその上位モデルはリフローはんだ付けのみをサポート 用途: 電源切り替え用スナバー回路、電話及びモデム用リンガー回路、その他汎用高電圧回路RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 470pF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 470pFTDK
779税込857
1袋(100個)
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),1000pF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),1000pFTDK
9,898税込10,888
1セット(1000個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 積層表面実装インダクタ, 1.5 nH, 600mA, 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 1.5 nH, 600mA, 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK
60税込66
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 19.6GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装), 100 μH, 40mA, 3.2 x 2.5 x 2.2mm TDKTDK 巻線インダクタ (面実装), 100 μH, 40mA, 3.2 x 2.5 x 2.2mmTDK
559税込615
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 μH最大直流電流 = 40mAパッケージ/ケース = 1210長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.2mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.2mm許容差 = ±5%最大直流抵抗 = 10Ωシリーズ = NLV-PF最大自己共振周波数 = 10MHz最小品質ファクター = 20TDK 1210 NLVシリーズ巻線型インダクタ. 幅広い信号ライン用途に最適なSMD巻線型インダクタ 高Q値による、シャープな周波数応答 耐熱性の高い熱可塑樹脂製外装パッケージ 動作温度範囲 -40℃ → +105℃ 用途: TV、VCR、デジタルカメラ、xDSL、カーオーディオ、ECUシステム、HDDなどRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 100pF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 100pFTDK
679税込747
1袋(100個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 巻線インダクタ (面実装), 10 μH, 600mA, シールド, 3.2 x 2.5 x 2.2mm TDKTDK 巻線インダクタ (面実装), 10 μH, 600mA, シールド, 3.2 x 2.5 x 2.2mmTDK
519税込571
1袋(20個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 10 μH最大直流電流 = 600mA長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.2mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.2mmシールド = Y最大直流抵抗 = 420mΩシリーズ = NLCV-EFRコア材料 = フェライト最大自己共振周波数 = 2.52MHz最小品質ファクター = 20TDK 1210 NLVC32シリーズ巻線型インダクタ. 電源ライン用のSMTインダクタ 耐熱性の熱可塑樹脂製外装パッケージ 用途: オーディオビジュアル機器、デジタルカメラ、オンボード車載機器などRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ, 1.2 nH, 600mA, 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 1.2 nH, 600mA, 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK
229税込252
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 1.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 20GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ, 100 nH, 50mA, 0.6 x 0.3 x 0.3mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 100 nH, 50mA, 0.6 x 0.3 x 0.3mmTDK
41税込45
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 900MHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 4.5Ω寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG0603Sシリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装), 100 μH, 330mA, シールド, 6 x 6 x 2.5mm TDKTDK 巻線インダクタ (面実装), 100 μH, 330mA, シールド, 6 x 6 x 2.5mmTDK
919税込1,011
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 μH最大直流電流 = 330mA長さ = 6mm奥行き = 6mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 6 x 2.5mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 500mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ SLF6025シリーズ. 電源用SMDインダクタ(巻線、磁気シールド) 電源系に最適な低Rdc、大電流、省エネタイプ 携帯機器、パソコンその他の各種電子機器に最適RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ, 10 nH, 500mA, 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 10 nH, 500mA, 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
119税込131
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 10 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 500mA最大自己共振周波数 = 3.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 巻線インダクタ (面実装), 100 nH, 2.85A, シールド, 3.2 x 2.5 x 2.2mm TDKTDK 巻線インダクタ (面実装), 100 nH, 2.85A, シールド, 3.2 x 2.5 x 2.2mmTDK
449税込494
1袋(20個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 nH最大直流電流 = 2.85A長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.2mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.2mmシールド = Y最大直流抵抗 = 20mΩシリーズ = NLCV-EFRコア材料 = フェライト最大自己共振周波数 = 25.2MHz最小品質ファクター = 10TDK 1210 NLVC32シリーズ巻線型インダクタ. 電源ライン用のSMTインダクタ 耐熱性の熱可塑樹脂製外装パッケージ 用途: オーディオビジュアル機器、デジタルカメラ、オンボード車載機器などRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ, 100 nH, 100mA, 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 100 nH, 100mA, 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
149税込164
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 1.9GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 2.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),0.022μF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),0.022μFTDK
929税込1,022
1袋(50個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 積層表面実装インダクタ, 33 nH, 100mA, 0.6 x 0.3 x 0.3mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 33 nH, 100mA, 0.6 x 0.3 x 0.3mmTDK
68税込75
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 33 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK0603シリーズRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 100V dc,0.47μF ±20% TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 100V dc,0.47μF ±20%TDK
1,098税込1,208
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 470nF電圧 = 100V dcパッケージ/ケース = 1210取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = JB許容差 = ±20%寸法 = 3.2 x 2.5 x 2mm長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2mm許容差(マイナス) = -20%許容差(プラス) = +20%温度係数 = ±10%高耐電圧、Cシリーズ(許容差: 20 %). 高電圧での使用を想定して設計された専用構造。小型サイズ、高耐電圧 定格電圧(Edc): 100、250、630 V 用途: 電源及び一般高電圧回路用スナバー回路RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),4700pF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),4700pFTDK
5,398税込5,938
1セット(500個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 積層表面実装インダクタ, 1 nH, 600mA, 0.6 x 0.3 x 0.3mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 1 nH, 600mA, 0.6 x 0.3 x 0.3mmTDK
93税込102
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 14.4GHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG0603Sシリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
サーミスタ TDK NTC, 10kΩ TDKサーミスタ TDK NTC, 10kΩTDK
1,698税込1,868
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様シリーズ = NTCG温度係数のタイプ = NTC抵抗@ 25℃ = 10kΩ許容差 = ±0.5%アプリケーション = 温度補償, 温度センサパッケージ/ケース = 1005最大定格電力 = 100mW長さ = 1mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm動作温度 Max = +150℃RoHS指令(10物質対応)対応
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